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2023-09-18 11:05
晶能光電周名兵:硅襯底
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近紫外LED技術開發及應用
2023-01-29 13:50
廈門大學研究團隊發表
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Micro LED重要成果
2022-12-22 12:06
中科潞安牽頭大功率深紫外Al
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LED發光材料與器件產業化關鍵技術獲得立項
2021-12-28 08:58
蘇州納米所劉建平團隊研制國產
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綠光激光器性能再突破!
2021-12-24 18:09
中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所唐永軍:硅襯底
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激光器研究進展
2021-12-15 17:12
南京大學許非凡:
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Micro-LED光源的高速可見光通信研究
2021-12-13 10:02
中民研究院常務副院長閆春輝博士:維持Haitz定律:超高電流密度下改善高功率
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LED的Droop效應
2021-10-20 16:43
Porotech開發出全球首款天然紅In
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Micro LED顯示器,顯示面積0.55英寸
2021-03-19 12:04
UCSB宣稱已首次展示了尺寸小于10微米的In
GaN基
紅光Micro LED芯片
2020-12-08 16:11
三安光電副總經理張中英:UVB & UVC Al
GaN基
深紫外LED器件的最新進展
2020-12-03 18:04
天津工業大學于莉媛:
GaN基
器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析
2020-10-20 18:01
聚燦光電:力推
GaN基
高光效LED芯片擴產
2020-09-18 11:30
北京大學教授沈波:Al
GaN基
深紫外發光材料和器件技術進展
2020-02-24 23:03
【極智課堂】汪煉成:先進
GaN基
LED器件研究-從半導體照明到Micro-LED顯示和可見光通信
2019-11-29 10:59
中科院半導體所副研究員張逸韻:In
GaN基
超高能效LED核心材料及器件技術研究進展
2019-11-29 10:10
西安交通大學張敏妍:空氣腔結構在
GaN基
垂直結構LED工藝中的影響
2018-11-03 12:08
復旦大學田朋飛教授:智能
GaN基
micro-LED陣列
2018-11-01 09:47
北京大學副教授許福軍:高質量AlN外延生長及Al
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深紫外LED研究
2018-10-31 17:46
北京大學馮玉霞博士:Si襯底上
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外延材料生長及雜質缺陷研究
2017-11-22 13:51
韓國嶺南大學教授Ja-soon JANG:
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LED器件可靠性特性分析方法
2016-12-16 09:36
使用
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板將GaN功率元件FOM減至1/3
2016-11-30 08:53
戰略性先進電子材料重點專項—“面向下一代移動通訊的
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射頻器件關鍵技術及系統應用”項目啟動會在深圳召開
2016-11-29 08:55
【SSLCHINA 2016】中微半導體高級工藝工程師李洪偉:大尺寸基片上生長的
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LED和HEMT器件
2016-11-29 08:40
【SSLCHINA 2016】愛思強Jens Voigt:藍寶石襯底上使用31x4”規格的Aixtron AIX R6 MOCVD設備大規模生產In
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藍光LED
2016-11-22 13:32
【IFWS 2016】劉揚: 基于選區外延技術制備具有高質量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強型
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2016-11-22 13:00
【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/
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HEMT的異質外延生長和器件特征
2016-01-27 09:05
硅襯底發光二極管 LED照明發展提速
2016-01-11 13:58
唐國慶:禮贊,中國LED人
2015-07-02 09:45
三菱化學增加
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板產能,滿足LED旺盛需求
2015-04-09 00:00
中村修二:看好LD激光照明與GAN基板發展
2014-11-20 00:00
松下展示
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板白色LED 可提高車前燈設計自由度
2014-10-20 00:00
韓國LED廠加碼
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板研發 搶食LED照明市場
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Soraa公司獲美國能源部再撥款推進大尺寸
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