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2024-09-18 13:52Lumileds實(shí)現(xiàn)InGaN紅光LED新效率，解決MicroLED顯示難題
2024-07-29 14:34德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工
2023-12-12 16:46韓國高校實(shí)現(xiàn)石墨烯基板生長柔性GaN Micro LED陣列
2023-09-18 11:05晶能光電周名兵：硅襯底GaN基近紫外LED技術(shù)開發(fā)及應(yīng)用
2023-03-14 14:26鴻海攜手陽明交大等開發(fā)高色純度InGaN紅光Micro LED
2023-01-29 13:50廈門大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表GaN基Micro LED重要成果
2023-01-12 18:12Sundiode與Soft-Epi開發(fā)全I(xiàn)nGaN堆疊式RGB MicroLED
2022-12-22 12:06中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項(xiàng)
2022-11-03 14:18MICLEDI宣布研發(fā)出50nm半峰全寬630nm波長紅色GaN MicroLED
2022-08-17 18:23上海福賽特：打造中國領(lǐng)先的LED/GaN半導(dǎo)體AMHS設(shè)備提供商
2022-07-12 09:44GaN將給智能快充領(lǐng)域帶來什么新機(jī)會(huì)？
2022-06-23 11:24限時(shí)回放|強(qiáng)芯沙龍第二期精彩不容錯(cuò)過！大咖做客暢聊GaN功率半導(dǎo)體的現(xiàn)在與未來
2022-05-24 11:44韓企Soft-Epi：可利用現(xiàn)有MOCVD批量生產(chǎn)紅色LED 正在推出用于MicroLED的GaN紅色外延片
2022-05-10 11:02韓國GaN技術(shù)開發(fā)商Soft-EPi開發(fā)紅色I(xiàn)nGaN外延
2022-01-04 14:04歐普照明：將GaN（氮化鎵）技術(shù)應(yīng)用于照明驅(qū)動(dòng)電源上
2021-12-28 08:58蘇州納米所劉建平團(tuán)隊(duì)研制國產(chǎn)GaN基綠光激光器性能再突破！
2021-12-24 18:09中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所唐永軍：硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展
2021-12-15 17:35中山大學(xué)張佰君：單顆電驅(qū)動(dòng)金字塔結(jié)構(gòu)InGaN/GaN Micro-LED及其在光遺傳學(xué)中的應(yīng)用
2021-12-15 17:12南京大學(xué)許非凡：GaN基Micro-LED光源的高速可見光通信研究
2021-12-13 10:02中民研究院常務(wù)副院長閆春輝博士：維持Haitz定律：超高電流密度下改善高功率GaN基LED的Droop效應(yīng)
2021-12-13 09:44福州大學(xué)孫捷教授：低維納米材料在GaN LED芯片上的應(yīng)用
2021-10-25 17:14英諾賽科鄒艷波：GaN助力LED驅(qū)動(dòng)電源輕薄化
2021-10-20 16:43Porotech開發(fā)出全球首款天然紅InGaN基Micro LED顯示器，顯示面積0.55英寸
2021-10-19 18:20LEDCON 2021前瞻：GaN助力LED電源輕薄化
2021-08-12 15:56Micro LED顯示器廠商JBD與GaN Micro LED材料開發(fā)商Porotech達(dá)成合作
2021-08-09 16:24晶方科技擬投資第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域GaN器件全球領(lǐng)先者Vis IC公司
2021-04-19 13:45研究人員發(fā)現(xiàn)一種可量化不同銦濃度下氮化銦鎵(InGaN)量子阱中成分波動(dòng)狀況的方法
2021-03-19 12:04UCSB宣稱已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基紅光Micro LED芯片
2021-03-05 14:12SiC和GaN功率半導(dǎo)體將并駕齊驅(qū)，國產(chǎn)替代將是未來發(fā)展方向
2020-12-22 17:27蘇州晶湛半導(dǎo)體張麗旸：應(yīng)用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新進(jìn)展
2020-12-09 18:23復(fù)旦大學(xué)田朋飛：基于GaN的可用于固態(tài)照明、顯示和雙向可見光通信的多功能器件
2020-12-09 15:59深圳大學(xué)劉新科：大面積MoS2-on-GaN范德華異質(zhì)結(jié)的光子器件應(yīng)用
2020-12-08 16:11三安光電副總經(jīng)理張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展
2020-12-07 15:57南京大學(xué)劉斌：具有GaN隧道結(jié)的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備
2020-12-03 18:04天津工業(yè)大學(xué)于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析
2020-11-25 12:16英諾賽科駱薇薇：時(shí)代 “芯”機(jī) “GaN”想“GaN”干
2020-10-20 18:01聚燦光電：力推GaN基高光效LED芯片擴(kuò)產(chǎn)
2020-09-18 11:30北京大學(xué)教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進(jìn)展
2020-07-23 17:55UCSB團(tuán)隊(duì)利用MOCVD隧道結(jié)提高InGaN Micro LED效率
2020-06-15 11:38碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
2020-06-11 08:45碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路
2020-05-19 09:37【收藏】第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀
2020-05-11 10:33【極智課堂】劉志宏：面向5G應(yīng)用的Si基GaN微波毫米波器件技術(shù)研究進(jìn)展
2020-04-07 09:02募資15億！華燦投資Mini/Micro LED、GaN功率器件等
2020-02-24 23:03【極智課堂】汪煉成：先進(jìn)GaN基LED器件研究-從半導(dǎo)體照明到Micro-LED顯示和可見光通信
2020-01-15 00:00新發(fā)現(xiàn)：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
2020-01-14 11:30新發(fā)現(xiàn)：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
2019-12-11 17:39挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
2019-12-11 17:19廈門大學(xué)高娜：可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長
2019-12-06 15:31Plessey開發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED
2019-11-29 10:59中科院半導(dǎo)體所副研究員張逸韻：InGaN基超高能效LED核心材料及器件技術(shù)研究進(jìn)展
2019-11-29 10:43福州大學(xué)孫捷教授：面向下一代主動(dòng)驅(qū)動(dòng)、高分辨GaNμ-LED顯示
2019-11-29 10:10西安交通大學(xué)張敏妍：空氣腔結(jié)構(gòu)在GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED工藝中的影響
2019-11-28 14:13挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
2019-11-28 10:53CASA發(fā)布SiC、GaN痕量雜質(zhì)SIMS檢測方法兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
2019-11-27 17:41美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭：基于MOVPE技術(shù)生長GaN表面的原位相干X射線研究
2019-11-27 17:09中南大學(xué)教授汪煉成：設(shè)計(jì)制造復(fù)合金屬等離激元同時(shí)提高GaN LED效率和顯色指數(shù)研究
2019-11-27 13:12廈門大學(xué)高娜：可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長
2019-11-27 11:25鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響
2019-11-27 11:21日本德島大學(xué)周繼禹：高鋁組分的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)pH傳感器
2019-11-27 10:53比利時(shí)IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術(shù)
2019-11-27 10:45加拿大GaN Power副總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人傅玥：氮化鎵：啟動(dòng)未來
2019-11-27 10:38日本德島大學(xué)教授敖金平：常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展
2019-11-27 10:20加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動(dòng)芯片
2019-11-19 09:17IFWS2019丨功率電子器件及封裝技術(shù) (GaN和SiC)論壇將于26日召開
2019-11-06 09:42SSLCHINA&IFWS2019丨襯底、外延及生長裝備（SiC·GaN）分會(huì)日程出爐
2019-09-23 12:56GaN電力電子器件細(xì)分市場及前景分析
2018-11-08 14:53日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA： AlGaN激光的現(xiàn)狀與問題
2018-11-03 12:08復(fù)旦大學(xué)田朋飛教授：智能GaN基micro-LED陣列
2018-11-02 08:49西安電子科技大學(xué)趙子越博士：基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
2018-11-02 08:36四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長王祁鈺：100nm 和 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品
2018-11-01 19:27南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
2018-11-01 18:41廈門大學(xué)教授黃凱：深紫外AlGaN多量子阱納米柱LED中內(nèi)量子效率和光提取效率的增強(qiáng)
2018-11-01 10:47沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)Kazuhiro Ohkawa教授：用于生長優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計(jì)的AlGaN MOCVD仿真
2018-11-01 09:47北京大學(xué)副教授許福軍：高質(zhì)量AlN外延生長及AlGaN基深紫外LED研究
2018-10-31 17:51加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：用于GaN功率晶體管的智能驅(qū)動(dòng)器IC
2018-10-31 17:46北京大學(xué)馮玉霞博士：Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究
2018-07-27 09:10KAUST大學(xué)開發(fā)奈米AlGaN發(fā)光裝置，可提升UV LED效能
2018-05-21 10:512018年1季度SiC和GaN企業(yè)的最新動(dòng)態(tài)
2018-04-16 09:38科銳與Nexperia簽署GaN功率器件專利授權(quán)協(xié)議
2018-03-29 08:32飛利浦照明被Navigant Research評(píng)定為照明行業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)影響力先鋒
2018-02-27 09:36技術(shù)薈|松下研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管
2018-02-24 09:15最新研究：InGaN量子井在LED的局限性
2018-02-22 09:24最新研究：InGaN量子井在LED的局限性
2018-02-05 17:19ALLOS 新型Si基GaN外延片的擊穿電壓超過 1400 V
2017-12-21 09:22從產(chǎn)品到應(yīng)用 GaN（氮化鎵）將成為功率半導(dǎo)體市場發(fā)展新動(dòng)力
2017-11-22 13:51韓國嶺南大學(xué)教授Ja-soon JANG：GaN基LED器件可靠性特性分析方法
2017-11-09 10:17中南大學(xué)教授汪煉成：采用濕法刻蝕GaN微金字塔結(jié)構(gòu)Q值超過6000的光泵激光
2017-11-07 18:09中科院微電子所研究員黃森：基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造
2017-11-07 18:04張連：選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器
2017-11-07 17:46英諾賽科副總經(jīng)理金源俊：200mm CMOS晶圓廠無分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝
2017-11-07 17:40北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明：高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT
2017-11-07 17:36Alexander LOESING：無碳摻雜GaN-on-Si大外延片實(shí)現(xiàn)低漏電流
2017-11-07 17:19加拿大多倫多大學(xué)教授Wai Tung NG:GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路
2017-11-07 16:02挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授Helge WEMAN：石墨烯/玻璃上AlGaN納米線倒裝紫外LED生長
2017-11-07 15:14美國密歇根大學(xué)教授Pei-Cheng KU：照明和顯示應(yīng)用GaN納米結(jié)構(gòu)的局部應(yīng)變工程技術(shù)
2017-11-06 17:24北京大學(xué)副教授許福軍：納米圖案藍(lán)寶石基板生長高質(zhì)量的AlN和AlGaN量子阱
2017-11-06 16:29日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA ：高效率AlGaN深紫外LED的研究進(jìn)展
2017-11-06 15:57中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅：InAlN/GaN HFETs的可靠性評(píng)估和高頻特性研究
2017-11-06 15:00英國布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL：極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)
2017-11-06 13:15IFWS2017：SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性技術(shù)分會(huì)在京召開
2017-11-05 16:03中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻：納米圖案AlN/藍(lán)寶石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取
2017-11-05 15:22荷蘭Ampleon公司可靠性專家陶國橋：開發(fā)GaN技術(shù)晶圓級(jí)可靠性
2017-11-05 15:09中興通訊射頻功放平臺(tái)總工劉建利：5G 用GaN功率放大器
2017-11-05 14:40南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵：W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器
2017-11-02 15:51瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN：GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展
2017-09-08 09:13氮化鎵|美國納微半導(dǎo)體公司即將展出最新GaN功率芯片
2017-08-21 10:16溝槽填充p型氮化鎵可增加InGaN LED輸出功率
2017-07-25 16:31技術(shù)薈| 垂直GaN二極管再生長技術(shù)又有新突破
2017-07-07 09:05Imec開發(fā)出世界上首個(gè)8英寸無色散常閉式/增強(qiáng)型硅基GaN功率器件
2017-04-12 15:36歐洲GaN學(xué)術(shù)拓展精進(jìn)之旅：中國頂尖專家團(tuán)組即將開拔
2017-03-06 09:04關(guān)于聯(lián)盟組團(tuán)赴歐參加ICNS學(xué)術(shù)會(huì)議暨歐洲GaN學(xué)術(shù)拓展精進(jìn)之旅的通知
2016-12-16 09:36使用GaN基板將GaN功率元件FOM減至1/3
2016-12-09 08:43松下試制1.7kV GaN功率元件，導(dǎo)通電阻低于SiC MOSFET
2016-12-08 10:58科研人員發(fā)現(xiàn)GaN耐磨性接近鉆石，或可用于觸摸屏等
2016-11-30 08:53戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)—“面向下一代移動(dòng)通訊的GaN基射頻器件關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)應(yīng)用”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在深圳召開
2016-11-29 08:55【SSLCHINA 2016】中微半導(dǎo)體高級(jí)工藝工程師李洪偉：大尺寸基片上生長的GaN基LED和HEMT器件
2016-11-29 08:40【SSLCHINA 2016】愛思強(qiáng)Jens Voigt：藍(lán)寶石襯底上使用31x4”規(guī)格的Aixtron AIX R6 MOCVD設(shè)備大規(guī)模生產(chǎn)InGaN基藍(lán)光LED
2016-11-22 13:32【IFWS 2016】劉揚(yáng): 基于選區(qū)外延技術(shù)制備具有高質(zhì)量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強(qiáng)型GaN基MOSFET
2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質(zhì)外延生長和器件特征
2016-11-22 12:53【IFWS 2016】Mark Mackee: 單晶反應(yīng)腔技術(shù)到電力電子規(guī)模制造的GaN-Si MOCVD
2016-11-22 12:34【IFWS 2016】yuhao zhang: 電力電子采用的低成本高性能的垂直GaN二極管和晶體管
2016-11-22 11:12【IFWS 2016】Fred C. LEE: GaN引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革
2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時(shí)高性能超薄第四組InAlGaN勢壘HEMT器件
2016-11-21 08:37【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長
2016-11-19 17:40【SSLCHINA 2016】Ian MORGAN：強(qiáng)光照預(yù)防近視和高度近視
2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半導(dǎo)體研究所王元?jiǎng)偅杭铀偻苿?dòng)GaN器件在無線通訊系統(tǒng)中的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用
2016-11-19 15:22【IFWS 2016】中興通訊射頻功放平臺(tái)總工劉建利：未來移動(dòng)通信基站GaN射頻功率器件漸成主流
2016-09-12 10:09我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)
2016-08-29 10:09氮化鎵系統(tǒng)創(chuàng)始人退休
2016-06-28 11:44推動(dòng)歷史進(jìn)程的十大材料
2016-04-18 09:30日本啟動(dòng)GaN開發(fā)項(xiàng)目，諾獎(jiǎng)得主天野領(lǐng)軍
2016-03-04 08:48英國專家用半極性GaN生長高效益LED
2016-01-27 09:05硅襯底發(fā)光二極管 LED照明發(fā)展提速
2016-01-11 13:58唐國慶：禮贊,中國LED人
2015-12-22 08:19硅襯底技術(shù)有望獲得2015年國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng) 多家LED公司率先布局
2015-12-11 09:38晶元GaN-on-Si晶片即將量產(chǎn) 稱霸LED照明？
2015-12-03 08:19新書推薦：《LED器件與工藝技術(shù)》
2015-11-05 09:57【SSLCHINA 2015】楊學(xué)林：采用較大晶格失配引致應(yīng)力控制技術(shù)在Si襯底生長高遷移率AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)
2015-11-05 09:53【SSLCHINA 2015】陳敬：穩(wěn)定可靠的GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)功率器件
2015-11-04 00:38【SSLCHINA2015】王建峰：GaN襯底生長技術(shù)研究
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