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2022-12-22 12:06
中科潞安牽頭大功率深紫外
AlGaN
基LED發光材料與器件產業化關鍵技術獲得立項
2020-12-08 16:11
三安光電副總經理張中英:UVB & UVC
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基深紫外LED器件的最新進展
2020-09-18 11:30
北京大學教授沈波:
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基深紫外發光材料和器件技術進展
2020-01-15 00:00
新發現:新型襯底PSSA可顯著提高
AlGaN
UV LED的效率
2020-01-14 11:30
新發現:新型襯底PSSA可顯著提高
AlGaN
UV LED的效率
2019-12-11 17:39
挪威科學技術院院士Helge WEMAN:采用石墨烯襯底和透明底部電極的
AlGaN
納米線外延 UV LED
2019-11-28 14:13
挪威科學技術院院士Helge WEMAN:采用石墨烯襯底和透明底部電極的
AlGaN
納米線外延 UV LED
2019-11-27 11:21
日本德島大學周繼禹:高鋁組分的
AlGaN
/GaN異質結pH傳感器
2019-11-27 10:38
日本德島大學教授敖金平:常關型
AlGaN
/GaN HFET功率器件的發展
2018-11-08 14:53
日本名城大學副教授Motoaki IWAYA:
AlGaN
激光的現狀與問題
2018-11-02 08:49
西安電子科技大學趙子越博士:基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的
AlGaN
/GaN高電子遷移率晶體管
2018-11-01 18:41
廈門大學教授黃凱:深紫外
AlGaN
多量子阱納米柱LED中內量子效率和光提取效率的增強
2018-11-01 10:47
沙特阿卜杜拉國王科技大學Kazuhiro Ohkawa教授:用于生長優化和反應器設計的
AlGaN
MOCVD仿真
2018-11-01 09:47
北京大學副教授許福軍:高質量AlN外延生長及
AlGaN
基深紫外LED研究
2018-07-27 09:10
KAUST大學開發奈米
AlGaN
發光裝置,可提升UV LED效能
2017-11-07 18:09
中科院微電子所研究員黃森:基于超薄壁壘
AlGaN
/ GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造
2017-11-07 18:04
張連:選擇區域生長
AlGaN
/GaN異質結雙極晶體管的n-
AlGaN
發射器
2017-11-07 16:02
挪威科學技術大學教授Helge WEMAN:石墨烯/玻璃上
AlGaN
納米線倒裝紫外LED生長
2017-11-06 17:24
北京大學副教授許福軍:納米圖案藍寶石基板生長高質量的AlN和
AlGaN
量子阱
2017-11-06 16:29
日本理化學研究所量子光電設備實驗室首席科學家Hideki HIRAYAMA :高效率
AlGaN
深紫外LED的研究進展
2017-11-05 16:03
中科院半導體研究所研究員張韻:納米圖案AlN/藍寶石模板上
AlGaN
深紫外LED和
AlGaN
/AlN激光器光提取
2017-11-05 14:40
南京電子器件研究所高級工程師吳少兵:W波段
AlGaN
/GaN MMIC 功率放大器
2016-11-22 13:00
【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底
AlGaN
/GaN基HEMT的異質外延生長和器件特征
2016-11-21 08:39
【IFWS 2016】孔月嬋:fT > 260 GHz時高性能超薄第四組In
AlGaN
勢壘HEMT器件
2016-11-21 08:37
【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升
AlGaN
/GaN HFETs器件性能
2015-11-05 09:57
【SSLCHINA 2015】楊學林:采用較大晶格失配引致應力控制技術在Si襯底生長高遷移率
AlGaN
/GaN異質結
2015-09-14 09:05
863計劃在半導體深紫外發光器件領域取得重要進展
2013-12-17 00:00
日本研究低阻值的n-
AlGaN
可提升15%電光轉換效率
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