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- 2021-12-15 17:03上海大學任開琳：一種新型氮化鎵基Micro-LED及其驅動HEMT的單片集成結構
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- 2020-11-26 16:21IFWS2020：功率電子器件及封裝技術分會氮化鎵專場深圳召開
- 2020-11-10 17:40【IFWS2020】功率電子器件及封裝技術前沿展望之氮化鎵專場
- 2020-06-15 11:38碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
- 2020-06-11 08:45碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路
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- 2020-04-28 08:09【極智課堂】深圳大學材料學院劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導體器件
- 2020-04-07 10:58利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microLED 應用于硅產業領域
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- 2019-11-28 18:02南京電子器件研究所高級工程師張凱：一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管
- 2019-11-28 17:58臺灣長庚大學教授邱顯欽：適用于第五代行動通訊六吋氮化鎵微波功放技術及基站功率電源模塊
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- 2019-11-28 14:40河北半導體研究所王毅：一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術的便攜X波段功率放大器
- 2019-11-28 14:33西安電子科技大學教授劉志宏：高頻硅基氮化鎵晶體管
- 2019-11-28 09:38德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BRüCKNER：高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC
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- 2019-11-27 10:49美國Transphorm高級副總裁YifengWU：擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的氮化鎵功率器件
- 2019-11-27 10:45加拿大GaN Power副總裁兼聯合創始人傅玥：氮化鎵：啟動未來
- 2019-11-27 10:21德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA：通過高品質硅基氮化鎵外延以實現無碳摻雜的高隔離性和高動態表現
- 2019-11-27 10:11日本福井大學教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件
- 2019-11-27 10:03英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統
- 2019-11-26 21:13中國科學院院士、南昌大學副校長江風益：從硅基氮化鎵LED進展看半導體照明未來
- 2019-11-26 14:59美國國家工程院院士、加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh K. MISHRA：氮化鎵功率電子的價值前景
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