- 2016-11-30 08:52戰略性先進電子材料重點專項—“第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目啟動會在南京召開
- 2016-11-30 08:39戰略性先進電子材料重點專項—“高品質全光譜無機半導體照明材料、器件與燈具產業化制造技術”項目啟動會在天津召開
- 2016-11-29 09:02【SSLCHINA 2016】美國新澤西理工學院Hieu P T NGUYEN助理教授：III族氮化物納米線LED和激光器：下一代照明技術
- 2016-11-29 08:55【SSLCHINA 2016】中微半導體高級工藝工程師李洪偉：大尺寸基片上生長的GaN基LED和HEMT器件
- 2016-11-25 10:30“地中海”福音，日推出LED頭罩式養發器幫頭發生長
- 2016-11-22 13:02【IFWS 2016】陳敬: 詳解氮化鎵功率器件MIS門結構的穩定性和可靠性
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質外延生長和器件特征
- 2016-11-22 12:55【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強型HEMT器件
- 2016-11-21 10:27薄膜電容器在新能源領域應用和發展機遇
- 2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時高性能超薄第四組InAlGaN勢壘HEMT器件
- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2016-11-21 08:30【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI氮化鎵基板技術的高性能開關電源和頻射功率器件
- 2016-11-21 08:26【IFWS 2016】David Lishan: 氮化鎵基器件采用等離子切割的生產效益
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長
- 2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半導體研究所王元剛：加速推動GaN器件在無線通訊系統中的產業化應用
- 2016-11-19 15:22【IFWS 2016】中興通訊射頻功放平臺總工劉建利：未來移動通信基站GaN射頻功率器件漸成主流
- 2016-11-19 10:04【IFWS 2016】周達成: 高電壓碳化硅功率器件的研究進展
- 2016-11-18 19:00【IFWS 2016】全球頂級碳化硅電力電子器件專家聚焦前瞻研究（下）
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- 2016-11-02 10:57慧聰芯城2.0戰略升級 “精靈計劃”整合電子元器件全產業鏈
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- 2016-10-20 09:03ERP 發布照明行業新一代LED驅動器
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- 2016-10-13 09:40蘋果新專利：將光傳感器嵌入顯示屏
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- 2016-09-20 10:26本土元器件電商，要玩死線下還是盤活線上？！
- 2016-09-13 08:24華燦光電收購美新半導體 LED與傳感器雙主業發展
- 2016-09-09 16:33證監會審核通過正泰電器和遠方光電并購重組審核
- 2016-09-08 10:53加拿大測試基于LED的航發核心機結冰探測器
- 2016-09-07 09:05華燦光電收購美新半導體 未來形成LED和傳感器雙主業發展
- 2016-09-06 16:54三菱電機緊追新政，助力光網城市震撼來襲
- 2016-09-06 10:39京瓷等利用紫色LED實現注重光質的照明器具
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- 2016-08-30 09:56上海芯元基開發出了鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結構器件
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- 2016-08-26 16:00三菱電機高性能光通信器件助力光網城市
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- 2016-08-11 10:00中國智能手機制造商需求量大 加速三星顯示器OLED供應
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