- 2019-11-27 16:54南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌：納米模板生長和制備非/半極性面LED及Micro-LED器件
- 2019-11-27 12:06蘇州鍇威特半導體股份有限公司總裁丁國華:改進碳化硅MOSFET RONSP的器件結構和工藝研究
- 2019-11-27 11:40國家電網楊霏教授：碳化硅高壓電力電子器件及應用進展
- 2019-11-27 11:36美國NAURA-Akrion首席技術官Ismail I. KASHKOUSH：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術
- 2019-11-27 10:53比利時IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術
- 2019-11-27 10:49美國Transphorm高級副總裁YifengWU：擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的氮化鎵功率器件
- 2019-11-27 10:38日本德島大學教授敖金平：常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展
- 2019-11-27 10:16中國科學院微電子研究所湯益丹：大電流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力電熱分析
- 2019-11-27 10:11日本福井大學教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件
- 2019-11-27 10:03英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統
- 2019-11-27 10:01加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設計和TCAD模擬
- 2019-11-26 21:17IFWS2019：功率電子器件及封裝技術分會Ⅱ成功召開
- 2019-11-26 18:30IFWS2019：功率電子器件及封裝技術分會Ⅰ成功召開
- 2019-11-19 09:17IFWS2019丨功率電子器件及封裝技術 (GaN和SiC)論壇將于26日召開
- 2019-11-18 09:31聚飛光電擬募投7.2億元 加碼光電器件LED產品
- 2019-11-12 15:41議程出爐，“AI 智慧照明、集成元器件半導體技術研討會”即將召開
- 2019-11-02 10:16SSLCHINA & IFWS2019丨“固態紫外器件技術”論壇11月27日召開
- 2019-10-30 17:32國星光電股份有限公司白光器件事業部副總經理謝志國：LED封裝元器件新時代的技術進展及創新應用
- 2019-09-23 12:56GaN電力電子器件細分市場及前景分析
- 2019-09-10 09:00科銳與德爾福科技開展汽車SiC器件合作
- 2019-08-28 10:29萬億級電子元件強勢來襲，武漢國際電子元器件、材料及生產設備展覽會將于2020年舉辦
- 2019-08-19 09:40國星光電LED器件及制造方法、LED顯示模組獲專利證書
- 2019-08-08 23:24CSA、CASA“紫外光電器件培訓會”在揚州成功舉辦
- 2019-08-07 12:15關于聯盟組團赴俄羅斯參加國際紫外器件學術會議的通知
- 2019-07-20 10:59紫外光電器件培訓班開始招生啦！
- 2019-07-13 23:23第八屆中國創新創業大賽國際第三代半導體專業賽·材料器件與裝備行業決賽暨第三代半導體材料裝備創新發展大會成功召開
- 2019-07-04 16:19關于召開紫外光電器件培訓班的通知
- 2019-06-06 09:175G通信對未來射頻器件的新要求
- 2019-05-24 17:48第31屆IEEE國際功率半導體器件與集成電路會議(ISPSD 2019)圓滿舉辦
- 2019-05-22 10:322020 武漢國際電子元器件、材料及生產設備展覽會將于明年5月在武漢盛大召開
- 2019-04-23 11:41三星發布植物照明高光子效率全光譜LED器件
- 2019-04-16 09:32兼具高亮度/高效率和長壽命紅綠藍三基色QLED器件問世
- 2019-04-08 10:02又薄又軟的半導體新材料可以制微納光電器件
- 2019-04-01 09:43士蘭微2018年營收破30億 分立器件錄得較快增長
- 2019-03-07 13:24植入LED器件，無痛心臟復蘇治療方法或能實現
- 2019-01-24 15:36【最新日程】ISPSD 2019第31屆國際功率半導體器件和集成電路會議5月召開
- 2019-01-18 10:56國星光電兩項關于LED封裝器件的發明獲專利證書
- 2019-01-10 09:24國星光電：擬10億投資新一代LED封裝器件及芯片擴產項目
- 2019-01-01 08:07ISPSD 2019 第31屆國際功率半導體器件與集成電路會議將在上海舉辦
- 2018-12-14 16:25第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）在昆明成功舉辦
- 2018-12-06 09:39第三屆國際紫外材料與器件會議9日即將在昆明揭幕
- 2018-11-30 14:08第三屆國際紫外材料與器件會議將于12月9~12日在昆明召開
- 2018-11-28 14:26第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）將于12月9日在昆明召開
- 2018-11-21 11:54鴻利智匯回購注銷部分白光LED器件板塊限制性股票
- 2018-11-19 09:31浙江省市場監督管理局抽查半導體器件2批次不合格
- 2018-11-12 11:30ISPSD 2019 第31屆國際功率半導體器件與集成電路會議將在上海舉辦
- 2018-11-07 14:31第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）第二輪通知
- 2018-11-07 11:00Victor VELIADIS教授：碳化硅功率器件-制造與商業化之路
- 2018-11-03 14:59株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友：新能源汽車用功率器件解決方案
- 2018-11-02 08:46臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
- 2018-11-01 20:28蘇州能訊高能半導體有限公司李元：以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
- 2018-11-01 20:04加拿大滑鐵盧大學William WONG教授：通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現Micro-LED
- 2018-11-01 19:51廈門大學電子科學系呂毅軍教授：基于顯微高光譜成像技術的發光器件/陣列表面光熱特性分布測試
- 2018-11-01 18:50中南大學教授汪煉成：基于寬禁帶AlN的紫外光功能結構和器件
- 2018-11-01 17:41三重大學助理教授永松謙太郎：UVC-LED中應力松弛層對濺射沉積高溫退火AlN /藍寶石影響的研究
- 2018-11-01 17:36南京大學蘇琳琳：4H-SiC紫外雪崩光電探測器的雪崩不均勻性研究
- 2018-10-31 18:20重慶大學教授葉懷宇：納米銅用于功率半導體封裝的工藝研究
- 2018-10-31 18:12天津大學材料科學與工程學院教授陸國權：電動汽車用平面型雙面水冷碳化硅模塊的封裝關鍵技術
- 2018-10-31 18:04法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY：10 kV SiC MOSFET封裝之電氣和熱性能之間的權衡
- 2018-10-31 08:23國內外專家齊聚 共研碳化硅材料與電力電子器件新進展——IFWS 2018：碳化硅材料與電力電子器件分會精彩分享
- 2018-10-30 15:38第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）通知
- 2018-10-30 15:04南京大學劉斌教授：氮化鎵微/納米LED與量子點混合結構的高品質白光器件
- 2018-10-27 13:45聚焦固態紫外器件技術新進展
- 2018-10-26 17:40IFWS2018：功率器件封裝與應用分會深圳召開
- 2018-10-26 15:24IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
- 2018-10-26 12:43Eyelove｜國星光電重磅發布健康照明LED器件新品牌
- 2018-10-19 08:45IFWS 2018：碳化硅材料與電力電子器件分會重磅來襲
- 2018-10-18 10:51國星投2900萬，購置設備實施顯示屏器件項目擴產
- 2018-10-14 15:33IFWS2018:看看固態紫外器件技術新進展
- 2018-10-11 17:21IFWS2018:熱！功率器件封裝與應用進展看過來
- 2018-10-10 16:42前景廣闊 看碳化硅材料與電力電子器件技術的“花式”進展
- 2018-10-08 11:26科銳推出更高光效版90 CRI COB器件組合
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- 2018-08-20 11:06新曄電子攜手歐司朗通用照明及舞臺照明LED器件應用發展趨勢廣州專場研討會成功舉辦
- 2018-08-17 10:33兆馳股份曬1H18業績單，LED產品及器件營收8.36億
- 2018-08-09 08:19科銳Wolfspeed推出首個滿足汽車AEC-Q101標準的SiC半導體器件系列
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- 2018-06-20 10:16新能源汽車用第三代半導體器件檢測及標準研討會將召開
- 2018-05-03 15:50關于舉辦IEEE第一屆亞洲寬禁帶功率器件及應用會議通知
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- 2016-11-21 08:26【IFWS 2016】David Lishan: 氮化鎵基器件采用等離子切割的生產效益
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長
- 2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半導體研究所王元剛：加速推動GaN器件在無線通訊系統中的產業化應用
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- 2016-11-19 10:04【IFWS 2016】周達成: 高電壓碳化硅功率器件的研究進展
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