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美國NAURA-Akrion首席技術官Ismail I. KASHKOUSH：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術

日本德島大學周繼禹：高鋁組分的AlGaN/GaN異質結pH傳感器

比利時IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術

美國Transphorm高級副總裁YifengWU：擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的氮化鎵功率器件

加拿大GaN Power副總裁兼聯合創始人傅玥：氮化鎵：啟動未來

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展》技術報告。

德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA分享了《通過高品質硅基氮化鎵外延以實現無碳摻雜的高隔離性和高動態表...

加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機...

中國科學院微電子研究所湯益丹：大電流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力電熱分析

日本福井大學教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件

英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統

加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設計和TCAD模擬

2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中...

IFWS2019：功率電子器件及封裝技術分會Ⅰ成功召開

2019年11月24日，2019國際第三代半導體研修班正式開班，來自第三代半導體領域的3位國際知名專家就碳化硅、氮化鎵的最新技術進...

科銳與意法半導體擴大并延伸現有SiC晶圓供應協議

中國科學技術大學孫海定和龍世兵課題組和中國科學院寧波材料所郭煒和葉繼春課題組在高襯底斜切角（4度）藍寶石襯底上成功外延...

科銳與ABB宣布SiC合作，提供汽車和工業領域解決方案

為了表彰和宣傳在我國第三代半導體事業中做出顯著業績和突出貢獻的青年典型，用卓越青年的精神激勵、教育和引導第三代半導體...

2019年11月7日，Micro-LED技術與產業發展論壇于北京大學物理學院成功召開。