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據(jù)報道，美國科研人員研發(fā)出了一款名為諧振隧穿二極管的新型氮化鎵基電子器件，其應(yīng)用于5G技術(shù)峰值速率超越了預(yù)期。研究人員...

第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體...

【極智課堂】山東大學(xué)王篤福教授：金剛石晶體材料生長及應(yīng)用

據(jù)了解，碳化硅和氮化硅均屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microLED 應(yīng)用于硅產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域

科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應(yīng)用創(chuàng)新

CSA Research半導(dǎo)體檢測裝備市場分析系列報告之一： 半導(dǎo)體探針臺的市場及競爭分析報告 表1 全球及我國的半導(dǎo)體檢測設(shè)備的市...

　　萬畝千億平臺添新引擎。3月20日上午，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)...

　　當前，以數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化為主要特征的第四次工業(yè)革命蓬勃興起，5G作為支撐經(jīng)濟社會數(shù)字化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵新型基礎(chǔ)設(shè)施...

當前，新型冠狀病毒仍在持續(xù)，對產(chǎn)業(yè)及企業(yè)造成了一定程度的影響，也牽動著各行各業(yè)人們的心。在此形勢下，中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)...

據(jù)外媒報道，蘋果公司仍將在今年晚些時候發(fā)布具有5G功能的iPhone 12，但據(jù)金融分析公司Susquehanna的一份新報告稱，發(fā)布將分...

2019年12月18日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布1項聯(lián)盟標準T/CASA 008-2019《地鐵再生制動能量回收系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范》。...

為摸清以SiC技術(shù)為重點的我國第三代半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化現(xiàn)狀，實施“瞄準全產(chǎn)業(yè)鏈、分步多點突破”推進國產(chǎn)裝備自主化進程戰(zhàn)略，...

群策群力 抱團發(fā)展 ——CASA聯(lián)盟第一屆第八次理事會暨第五次會員大會成功召開

2019年11月30日下午，由北京市順義區(qū)政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，中關(guān)村順義園管委會承辦的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)...

CASA發(fā)布SiC、GaN痕量雜質(zhì)SIMS檢測方法兩項團體標準

AIXTRON：“驅(qū)動未來科技”專題會議成功召開

美國弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授Christina DIMARINO：高電壓寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)

蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司總裁丁國華:改進碳化硅MOSFET RONSP的器件結(jié)構(gòu)和工藝研究

國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工、教授楊霏分享了《碳化硅高壓電力電子器件及應(yīng)用進展》技術(shù)報告。