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要設計產品，首先要確定用誰的LED封裝結構；接下來考慮怎樣適應這些封裝形式； 由我們選擇的機會不多，光學結構是建立在這些...

眾所周知，傳統DLP投影設備最為人所詬病的就是其采用的UHP光源，6000小時的平均壽命導致了用戶的使用成本始終無法降低，而LED...

一般LED顯示屏、LED電子顯示屏、LED全彩顯示屏、LED單元板等之間根據品牌和使用使用原材料的不同，一般都會存在LED顯示屏價格...

OLED，即有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode)，又稱為有機電激光顯示(Organic Electroluminesence Display, OELD)...

塑料封裝以其獨特的優勢而成為當前微電子封裝的主流，約占封裝市場的95%以上。塑封產品的廣泛應用，也為塑料封裝帶來了前所未...

LED封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝...

LED之所以受到廣泛重視而得到迅速發展，是與它本身所具有的優點分不開的。LED的發展前景極為廣闊，正朝著更高亮度、更高耐氣...

LED頻閃效應指的是兩個概念。一是頻閃：即電光源光通量波動的深度，波動深度越大，頻閃深度越大。二是頻閃效應：即電光源頻閃...

本文闡述了LED晶圓的制作工藝，僅供參考。

LED的核心材料是鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)、銦的化合物制成的半導體芯片的發光材料。目前，基于寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦...

通俗來講，LED和半導體激光器等的發光部分的半導體層，是在基板上生長結晶而成。采用的基板根據LED的發光波長不同而區分使用...

連接芯片表面和底板時，并不是像引線鍵合一樣那樣利用引線連接，而是利用陣列狀排列的，名為焊點的突起狀端子進行連接。與引...

由鎵(Ga)和氮(N)構成的化合物半導體。帶隙為3.45eV(用光的波長表示相當于約365nm)，比硅(Si)要寬3倍。利用該特性，GaN主要應...

LED的核心材料是鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)、銦的化合物制成的半導體芯片的發光材料。目前，基于寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦...

本文闡述了LED晶圓的制作工藝，僅供參考。

在合適的襯底基片上生長結晶軸相互一致的結晶層的技術。用于制作沒有雜質和缺陷的結晶層。包括在基片上與氣體發生反應以積累...

詳解LED芯片使用過程中經常遇到的問題及解析方案，僅供參考。

MOCVD技術在半導體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發展中的半導體超精細加工技術，MOCVD...

LED照明燈具對低壓驅動芯片有什么要求：驅動芯片的標稱輸出電流要求大于1.2-1.5A，作為照明用的LED筒燈光源，1W功率的LED光源...

隨著外延生長技術和多量子阱結構的發展，超高亮度發光二極管的內量子效率己有了非常大的改善，如波長625 nm AlGaInP基超高亮...