專利摘要顯示，本發明提供了一種 GaN 基 LED 外延結構及其制備方法、LED 芯片，通過電子阻擋層減少電子泄露的同時，在外延結構中的多量子阱層與電子阻擋層之間，采用包含厚度較薄的 AlN 層的空穴注入層，不僅能降低空穴輸運時的勢壘屏障高度，還提供了空穴隧穿的有效路徑，并增加了空穴注入時的能量,顯著提高了空穴注入效率,增大注入到多量子阱層中的空穴濃度，進而增大 LED 的發光效率。

天眼查資料顯示，晶能光電股份有限公司，成立于2006年，位于南昌市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本38927.9181萬人民幣，實繳資本38927.9181萬人民幣。通過天眼查大數據分析，晶能光電股份有限公司共對外投資了8家企業，參與招投標項目31次，財產線索方面有商標信息12條，專利信息260條，此外企業還擁有行政許可93個。