全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體創(chuàng)新工藝解決方案和專業(yè)知識(shí)提供商,為前沿和未來的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和芯片集成方案提供服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者EV集團(tuán)(EV Group,簡(jiǎn)稱EVG)發(fā)布下一代GEMINI®自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng),專為300毫米(12英寸)晶圓量產(chǎn)設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)的核心升級(jí)為全新開發(fā)的高精度強(qiáng)力鍵合模塊,在滿足全球半導(dǎo)體行業(yè)大批量制造(HVM, High-Volume Manufacturing)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí),顯著提升大尺寸晶圓上MEMS器件卓越的鍵合質(zhì)量與生產(chǎn)良率。目前,EVG已向多家國(guó)際頭部MEMS制造商交付基于此平臺(tái)的GEMINI系統(tǒng)。

EV集團(tuán)GEMINI® 300毫米全自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)(最大鍵合力350千牛/kN)

據(jù)Yole Group預(yù)測(cè),全球MEMS市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的146億美元增長(zhǎng)至2029年的200億美元(注1)。

這一增長(zhǎng)主要由慣性傳感器、麥克風(fēng)及新一代MEMS器件(包括微型揚(yáng)聲器)驅(qū)動(dòng)。其中,MEMS揚(yáng)聲器正加速應(yīng)用于智能手表、真無(wú)線立體聲(TWS)耳機(jī)及其他消費(fèi)類可穿戴設(shè)備。許多MEMS器件需隔絕外部環(huán)境干擾,或僅在受控氣氛(Controlled Atmosphere)或真空環(huán)境下運(yùn)行。金屬基晶圓鍵合技術(shù)(包括共晶鍵合、瞬態(tài)液相鍵合與熱壓鍵合)成為制造環(huán)節(jié)的關(guān)鍵——通過實(shí)現(xiàn)氣密性封裝(Hermetic Sealing)及壓力/真空環(huán)境封裝,在這些MEMS器件制造中起著至關(guān)重要的作用。

為滿足市場(chǎng)對(duì)MEMS器件日益增長(zhǎng)的需求,MEMS制造商正加速?gòu)?00毫米(8英寸)產(chǎn)線向300毫米(12英寸)產(chǎn)線遷移,以實(shí)現(xiàn)規(guī)模效益。此舉不僅支持新型器件集成方案(如CMOS-MEMS異質(zhì)集成),還可生產(chǎn)更大尺寸的MEMS器件(例如超聲MEMS及微鏡陣列)。然而,相較于200毫米晶圓,300毫米晶圓鍵合需施加更高的鍵合力,以確保在更大的表面積上維持同等鍵合壓強(qiáng)。

EV集團(tuán)(EVG)面向300毫米(12英寸)晶圓的下一代GEMINI系統(tǒng),其性能規(guī)格全面超越當(dāng)前300毫米MEMS制造需求,可充分滿足未來數(shù)代MEMS器件的技術(shù)演進(jìn)。GEMINI平臺(tái)是一款集成化模塊式大批量制造(HVM)系統(tǒng),專為高精度晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合設(shè)計(jì),核心特性包括:

-  多達(dá)四個(gè)獨(dú)立鍵合腔室,支持工藝并行化以提升產(chǎn)能;

-  鍵合力無(wú)極調(diào)節(jié)(最高350千牛/kN),適配不同材料與結(jié)構(gòu)需求;

-  高真空控制能力(最低至5 x 10-6毫巴)與超壓能力(絕對(duì)壓力2000毫巴),滿足嚴(yán)苛環(huán)境封裝要求;

-  傳承上一代技術(shù)優(yōu)勢(shì):全自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)、模塊配置靈活定制、廣泛兼容各類鍵合工藝(如金屬鍵合、膠鍵合、混合鍵合等)。

“EV集團(tuán)(EVG)深耕MEMS晶圓鍵合領(lǐng)域三十余年,始終為行業(yè)提供量產(chǎn)級(jí)鍵合設(shè)備解決方案。” EV集團(tuán)公司技術(shù)總監(jiān)Thomas Glinsner博士表示,“憑借與客戶及合作伙伴的深度協(xié)同,我們得以前瞻洞察市場(chǎng)關(guān)鍵趨勢(shì)與技術(shù)拐點(diǎn),并提前布局應(yīng)對(duì)。下一代GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)正是EVG將長(zhǎng)期戰(zhàn)略與行業(yè)積淀轉(zhuǎn)化為實(shí)踐成果的典范——作為業(yè)界首款專為MEMS設(shè)計(jì)的晶圓鍵合設(shè)備,它不僅能助力客戶精準(zhǔn)遵循技術(shù)路線圖,更將加速創(chuàng)新型MEMS器件及其終端產(chǎn)品的商業(yè)化進(jìn)程。”