由西江大學(xué)化工生命工學(xué)系姜文晟教授、延世大學(xué)趙正浩教授、漢陽大學(xué)金道煥教授組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，于1月27日在《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）在線版上發(fā)表了超高分辨率OLED微型顯示器（Micro Display）的核心技術(shù)，該技術(shù)可在高密度像素環(huán)境下實(shí)現(xiàn)無信號(hào)干擾的清晰畫質(zhì)。

隨著利用增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)技術(shù)的沉浸式內(nèi)容需求不斷增加，開發(fā)能夠提供類似真實(shí)視覺信息，傳遞即時(shí)沉浸感的OLED微型顯示器變得十分必要。然而，隨著分辨率的提高，像素間距縮小至幾微米，出現(xiàn)了電信號(hào)干擾，以及色彩范圍和色純度降低的問題。

為解決這一問題，精細(xì)地對像素間共享的空穴傳輸層進(jìn)行圖案化，以阻斷流向相鄰像素的漏電流至關(guān)重要。但目前廣泛使用的小分子有機(jī)半導(dǎo)體，在實(shí)現(xiàn)高密度像素方面一直是個(gè)未解決的難題。研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出了可實(shí)現(xiàn)10000ppi以上超精細(xì)圖案的有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料，成功在高密度像素環(huán)境下實(shí)現(xiàn)了無信號(hào)干擾的高分辨率OLED元件。

研究人員利用基于硅（Si）半導(dǎo)體各向異性蝕刻的光刻工藝，開發(fā)出了一種技術(shù)，通過引入硅分子的交聯(lián)空穴傳輸層，在大尺寸晶圓（6英寸）上也能實(shí)現(xiàn)微米級精度的超高分辨率像素。通過這項(xiàng)技術(shù)，研究團(tuán)隊(duì)證明了在高分辨率OLED像素陣列中，由電信號(hào)干擾導(dǎo)致的相鄰像素發(fā)光現(xiàn)象得到了抑制。

此外，通過引入硅分子，能夠控制有機(jī)半導(dǎo)體基空穴傳輸層的能級和空穴傳輸速度，從而提高了OLED的發(fā)光效率。此次研究成果在大幅改善了現(xiàn)有的微型顯示器材料及圖案工藝無法解決的像素干擾現(xiàn)象方面，具有重大意義。預(yù)計(jì)這將拓展并加速高分辨率微型顯示器在構(gòu)建超真實(shí)感增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)方面的應(yīng)用可能性。

此外，本研究由韓國科學(xué)技術(shù)信息通信部和韓國研究財(cái)團(tuán)資助的中堅(jiān)研究項(xiàng)目、全球前沿研究中心、STEAM研究項(xiàng)目以及納米及材料技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目支持完成。

 （來源：CINNO）