2月26-28日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶·山城國際會(huì)議中心召開 。

為更好的推動(dòng)重慶第三代半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用在學(xué)術(shù)及產(chǎn)業(yè)交流與合作，論壇圍繞頭部重點(diǎn)企業(yè)，探討產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)構(gòu)建及大規(guī)模智能制造，助力產(chǎn)業(yè)建圈強(qiáng)鏈，吸引上中下游企業(yè)聚集，強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，加快培育和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，推動(dòng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。會(huì)議主題將針對(duì)功率半導(dǎo)體大規(guī)模制造過程中，關(guān)鍵工藝及裝備、器件設(shè)計(jì)與制造、關(guān)鍵材料、質(zhì)量管控、綠色廠務(wù)等領(lǐng)域，誠邀產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討，追蹤功率半導(dǎo)體最新技術(shù)進(jìn)展，分享生產(chǎn)制造過程中全流程優(yōu)化方案，攜手促進(jìn)功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

【時(shí)間地點(diǎn)】

論壇時(shí)間：2月26-28日

會(huì)議場地：重慶·山城國際會(huì)議中心

協(xié)議酒店：重慶融創(chuàng)施柏閣酒店、重慶融創(chuàng)永樂半山酒店

【組織機(jī)構(gòu)】

主辦單位：

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

三安光電股份有限公司

承辦單位：

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦單位：

重慶大學(xué)

重慶郵電大學(xué)

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

【主題方向】

1.功率半導(dǎo)體材料及裝備

（光刻、長晶、制備、刻蝕、切磨拋、離子注入、減薄、退火、清洗設(shè)備、檢測等）

2.器件設(shè)計(jì)工藝及制造

（襯底片、光掩模、光刻膠、濕電子化學(xué)品、切磨拋材料、電子特氣、靶材等）

3.質(zhì)量管控與提升

（原材料采購管理、生產(chǎn)制造過程品控、成品質(zhì)量檢測及反饋、數(shù)據(jù)分析及決策支持等

4.綠色廠務(wù)：工廠設(shè)計(jì)、建造、管理中的綠色創(chuàng)新方案

（潔凈廠房、高純水制備、化學(xué)品供應(yīng)、特氣供應(yīng)、廢氣處理及排放、廢液處理、大宗氣體供應(yīng)、電力供應(yīng)、空調(diào)制冷及通風(fēng)、特種氣體供應(yīng)等）

5.功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)品應(yīng)用

（風(fēng)光新能源、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、5G通信、工業(yè)電源、電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、工業(yè)控制、變頻家電、消費(fèi)電子、儀器儀表等）

【日程安排】

【報(bào)告嘉賓&報(bào)告主題】

（排序不分先后，以最終為準(zhǔn)。更多報(bào)告嘉賓持續(xù)確認(rèn)中）

開幕大會(huì)

題目待定

林科闖——三安光電股份有限公司副董事長、總經(jīng)理

面向高功率器件的大尺寸SiC材料進(jìn)展及趨勢(shì)

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，新一代半導(dǎo)體材料研究院院長

氧化鎵和金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)

史冬梅——國家自然科學(xué)基金委員會(huì)高技術(shù)研究發(fā)展中心原技術(shù)總師

新航天背景下基于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的電源技術(shù)探討

萬成安——航天五院北京衛(wèi)星制造廠有限公司專業(yè)總師

......

分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造·

8英寸晶體及外延技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)制造、關(guān)鍵耗材及制造工藝優(yōu)化

關(guān)鍵材料及工藝裝備、器件及可靠性設(shè)計(jì)

·SiC 器件設(shè)計(jì)及產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用

高質(zhì)量8英寸碳化硅單晶材料技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)

高玉強(qiáng)——湖南三安半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理

SiC外延裝備技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)協(xié)同

王 石——北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司SiC外延產(chǎn)品總監(jiān)

Fine Graphite Components: A Key Support for High-Quality Industrialization of Compound Semiconductors

吳厚政——賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司CTO、副總經(jīng)理

車用碳化硅功率器件：機(jī)遇與挑戰(zhàn)

曾正——重慶大學(xué)教授

碳化硅器件并聯(lián)有源均流技術(shù)

張軍明——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院應(yīng)用電子學(xué)系主任、教授

題目待定

鄧小川——電子科技大學(xué)教授

題目待定

楊霏——國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師

題目待定

劉朝輝——國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心總師、動(dòng)力系統(tǒng)業(yè)務(wù)單元負(fù)責(zé)人

碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移

蔣華平——重慶大學(xué)研究員

碳化硅器件封裝和失效分析

葉懷宇——南方科技大學(xué)副教授

新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

萬富翔——合肥陽光電動(dòng)力科技有限公司電控硬件主管

納米銅燒結(jié)：功率器件封裝互聯(lián)技術(shù)的新篇章

陳顯平——平創(chuàng)半導(dǎo)體董事長，重慶大學(xué)教授

題目待定

陳萬軍——電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長

SiC器件在電能質(zhì)量優(yōu)化與儲(chǔ)能一體化裝置中的應(yīng)用

遲恩先——山東山大華天科技集團(tuán)股份有限公司總工程師

MOS芯片開發(fā)（TBD）

許志維——湖南三安半導(dǎo)體科技有限公司技術(shù)副總

題目待定

潘效飛——華潤微電子封測事業(yè)群技術(shù)研發(fā)中心總監(jiān)

AI賦能半導(dǎo)體制造生態(tài)

李杰——?？怂构I(yè)有限公司總裁

功率半導(dǎo)體模塊關(guān)鍵互連集成研究

汪煉成——中南大學(xué)教授

SiC/GaN器件測試挑戰(zhàn)與解決方案

張 欣——泰克科技大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)

更多嘉賓報(bào)告人持續(xù)確認(rèn)中......

分論壇二：氮化鎵及其他功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用

·氮化鎵、氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用

·氮化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用

·氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導(dǎo)體制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備

高壓GaN基SBD功率器件研究進(jìn)展

陳 鵬——南京大學(xué)教授

大尺寸藍(lán)寶石晶圓技術(shù)進(jìn)展及其半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢(shì)

康森——天通銀廈新材料有限公司副總經(jīng)理兼CTO

氮化鎵高功率密度異質(zhì)結(jié)晶體管關(guān)鍵技術(shù)

張韻——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員

題目待定

鄒艷波——英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用總監(jiān)

大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進(jìn)展

張輝——浙江大學(xué)教授，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司董事長

基于p-GaN二次外延的增強(qiáng)型HEMT材料與器件研究

鐘耀宗——中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副研究員

氮化物材料外延與p溝器件

許晟瑞——西安電子科技大學(xué)教授

應(yīng)用于高效能源及智能終端的GaN功率電子器件技術(shù)及挑戰(zhàn)

劉成——湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司高級(jí)研發(fā)經(jīng)理

題目待定

明鑫——電子科技大學(xué)教授

基于GaN HEMT/SiC MOSFET的高頻、高效電能變換與應(yīng)用

馬紅波——西南交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授

題目待定

苑進(jìn)社——國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）器件工藝與封裝平臺(tái)負(fù)責(zé)人

基于離子束剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)的寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成材料與器件

游天桂——中國科學(xué)院微系統(tǒng)所研究員

題目待定

徐明升——山東大學(xué)教授

基于Schottky-MIS級(jí)聯(lián)陽極結(jié)構(gòu)的低功耗GaN橫向功率二極管研究

王方洲——松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師

金剛石材料精密拋光技術(shù)的研究進(jìn)展

蔣繼樂——北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司副總裁

題目待定

黃義——重慶郵電大學(xué)教授

超寬禁帶氧化鎵基日盲深紫外光電探測器

李萬俊——重慶師范大學(xué)教授

高壓低導(dǎo)通氧化鎵功率二極管器件設(shè)計(jì)與關(guān)鍵工藝研究

許曉銳——福州大學(xué)副教授

氧化鎵外延生長中擴(kuò)展缺陷形成機(jī)制及其對(duì)功率器件影響

張赫之——大連理工大學(xué)副教授

硅終端金剛石場效應(yīng)管研究進(jìn)展

付裕——西安電子科技大學(xué)副教授

更多嘉賓報(bào)告人持續(xù)確認(rèn)中......

【活動(dòng)參與】

注冊(cè)費(fèi)2700元，2月20日前注冊(cè)報(bào)名2400元（含會(huì)議資料袋，2月27日午餐、歡迎晚宴，28日午餐）?，F(xiàn)場繳費(fèi)，恢復(fù)原價(jià)為2700元！

備注：參觀考察，需要安意法、華潤微審核最終可參觀名單，解釋權(quán)歸參觀目的企業(yè)！

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+重慶，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

【掃碼預(yù)報(bào)名】

請(qǐng)務(wù)必真實(shí)填寫，以免影響現(xiàn)場體驗(yàn)

【參會(huì)/演講/展示/商務(wù)合作咨詢】

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

【協(xié)議酒店】

1、重慶融創(chuàng)施柏閣酒店（掃碼預(yù)訂）

·豪華陽臺(tái)雙床，2張2*1.35米床，價(jià)格：499元/含1-2早/晚

·豪華園景陽臺(tái)大床房，1張2*2米床，價(jià)格：599元/含1-2早/晚

地址：重慶市沙坪壩區(qū)文廣大道18號(hào)附2號(hào)

2、重慶融創(chuàng)永樂半山酒店（掃碼預(yù)訂）

·豪華園景陽臺(tái)雙床房，2張2*1.35米床，價(jià)格：399元/含1-2早/晚

·豪華陽臺(tái)大床房，1張2*2米床，價(jià)格：399元/含1-2早/晚

地址：重慶市沙坪壩區(qū)文廣大道18號(hào)附1號(hào)

注：本次會(huì)議房間預(yù)定工作通過酒店預(yù)定小程序自助完成，請(qǐng)參會(huì)代表提前掃描小程序碼進(jìn)行實(shí)名預(yù)定，并完成預(yù)付房費(fèi)。房間預(yù)定修改或取消的截止時(shí)間是預(yù)抵時(shí)間前一天的18：00前，取消預(yù)定可以在規(guī)定時(shí)間內(nèi)登錄小程序進(jìn)行取消，費(fèi)用會(huì)原路退回。修改預(yù)定及有關(guān)預(yù)定房間的相關(guān)問題可以和酒店總機(jī)聯(lián)系023-86288888。

關(guān)于先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）

“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）”是由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)。CASICON 系列活動(dòng)以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容。自活動(dòng)啟動(dòng)以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟(jì)南、上海等城市，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)熱點(diǎn)，通過“主題會(huì)議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺(tái)，促進(jìn)了參與各方交流合作，捕捉合作新機(jī)遇，發(fā)揮了重要的橋梁與聚合價(jià)值。