據天眼查顯示，江蘇長電科技股份有限公司“封裝結構及其形成方法”專利公布，申請公布日為2024年12月31日，申請公布號為CN119230530A。

本發明提供一種封裝結構及其形成方法，封裝結構包括基板及設置在基板上的中介層，中介層包括：芯片，倒裝設置在基板上，在芯片背面具有一凹槽；塑封層，塑封芯片，且凹槽表面未被塑封層覆蓋；導電柱，貫穿塑封層至基板；散熱層，覆蓋芯片背面的凹槽表面，散熱層的熱導率大于芯片背面材料的熱導率。本發明實施例提供的封裝結構及其形成方法，在芯片背面形成凹槽，擴大了芯片背面的表面積，進而擴大了芯片背面與外部散熱結構的接觸面積，能夠實現對芯片的良好散熱，并且，封裝結構還在凹槽表面設置熱導率較大的散熱層，進一步提高了芯片背面與外部散熱結構之間的熱量傳導，提高了封裝結構的散熱性能。