國家知識產權局信息顯示，江西兆馳半導體有限公司申請一項名為“LED 外延片、LED 芯片及 LED 外延片的制備方法”的專利，公開號 CN 119153596 A，申請日期為 2024 年 11 月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種 LED 外延片、LED 芯 片及 LED 外延片的制備方 法，屬于發光二極管技術領域，LED 外延片包括襯底、外延層，外延層包括依次堆疊設置的 n 型電子層、n 型電子阻擋層、有源層、p 型空穴阻擋層、p 型空穴層和 p 型窗口層，p 型窗口層包括兩個隧道結結構和夾設于兩個隧道結結構之間的沿堆疊方向呈周期性分布的超晶格單元，隧道結結構包括依次堆疊設置的 p 型摻雜 InP 子層、未摻雜 InP 子層、n 型摻雜 InP 子層，超晶格單元包括依次堆疊設置的 AlxP 子層和 Ga1xP 子層。本發明通過在 p 型窗口層中引入隧道結結構和超晶格單元所形成的超晶格結構，可以提高載流子的注入效率，降低電阻，提高電流擴展能力。