化合物半導體激光器憑借其技術優勢和應用領域的廣泛性，在光通信、光存儲和醫療設備等領域發揮著重要作用，并且隨著技術的進步，其在高功率應用中的表現也日益突出。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，由國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）、北京北方華創微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦支持的“化合物半導體激光器技術及應用”分會上，中國科學院半導體研究所研究員楊靜，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司高級工程師趙武，蘇州思體爾軟件科技有限公司茅艷琳，北京工業大學吳博，中國電子科技集團第十三研究所王祎瑋，北京大學雷孟錸等嘉賓們齊聚，共同探討化合物半導體激光器技術及應用發展。中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員、鎵銳芯光董事長劉建平，復旦大學研究員沈超共同主持了分會。

楊靜

中國科學院半導體研究所研究員

短波長、大功率是紫外激光器的發展方向，中國科學院半導體研究所研究員楊靜做了“GaN基材料與紫外激光器研究”的主題報告，分享了紫外激光器材料外延、結構設計、器件等研究進展，研究發現C雜質在p-(Al)GaN中補償受主作用，高生長壓力、高氨氣流量方法抑制C雜質并入，解決AlGaN材料p摻雜難題。提出非對稱波導結構等多種紫外激光器結構，降低激光器光學吸收損耗，實現高功率輸出。針對紫外激光器存在的應力大、載流子阱外損耗大問題，提出超薄波導層紫外激光器結構，減少波導內載流子的損耗，降低激射閾值。提出AlGaN復合勢壘結構，激光器特征溫度提升28%，輸出功率提高了21%。發現前腔面破損并伴隨材料內部退化是器件失效的重要原因，并發現紫外激光器的損傷閾值低。實現室溫連續激射功率4.5W@403nm大功率紫光激光器。

趙武

蘇州長光華芯光電技術股份有限公司高級工程師

更高功率、更高亮度、更高效率、更多波長是高功率半導體激光器的發展趨勢，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司高級工程師趙武做了”高功率邊發射和面發射半導體激光器“的主題報告，分享了相關研究成果和進展，涉及高效率多結-垂直腔發射激光器(VCSEL)，高功率、高效率、單模 VCSEL，高溫工作& 高可靠性VCSEL等。報告指出，近期，長光華芯在Light: Science & Applications發布最新研究成果，實現了效率74%的15結VCSEL研制，打破近20年來VCSEL效率發展停滯的局面，改變了VCSEL在效率上無法超過邊發射激光器的固有認知。

茅艷琳

蘇州思體爾軟件科技有限公司

《III-V基和GaN基激光發射器的建模》

劉建平

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員、鎵銳芯光董事長

《GaN可見光激光器外延生長與新型結構器件》

沈超

復旦大學研究員

《面向光互連與量子應用的氮化鎵基激光器技術研究》

吳博

北京工業大學

北京工業大學吳博做了“基于超表面光電集成的片上結構光生成”的主題報告，分享了片上結構光生成，Ms VCSEL矢量光束的片上生成和操縱，MS-VCSEL陣列和電控光束偏轉技術等研究進展。報告顯示，在國際上率先將超表面技術成功應用于表面發射激光器陣列，開發了可編程定向發射激光芯片和多功能結構光片上生成芯片；開發了一種基于超表面VCSEL陣列的光束掃描和顯示激光芯片，實現了高角度光束掃描和動態顯示；通過將偏振、光子自旋和振幅等參數引入超表面VCSEL芯片的控制中，開發了新型光子芯片，包括偏振相關、光子自旋解耦和多維全息術。為了應對GaAs、GaN和金剛石等各種半導體材料的超材料表面結構制造中的關鍵技術挑戰，開發了基于不同半導體材料的光學元件，并將其應用于成像、光學芯片和傳感等領域。

王祎瑋

中國電子科技集團第十三研究所

中國電子科技集團第十三研究所王祎瑋做了“生長溫度對量子級聯激光器超晶格晶體質量的影響研究”的主題報告，分享了相關研究進展，涉及QCL InGaAs/InAlAs超晶格生長溫度，基板中心和邊緣之間的溫差等。研究顯示，模擬衍射數據與實驗數據一起繪制，證明了優異的外延控制和材料質量。該器件的斜率效率為dP/dI=721.97mW/a，20°C時的最大功率為1026mW。

雷孟錸

北京大學

《基于三維六角疊層掩膜的GaN激光器的外延生長》 

（根據現場資料整理，僅供參考）