国产一级在线_欧美一日本频道一区二区三区_久久精品视频9_欧美性生交大片

 
 
當前位置: 首頁 » 資訊 » 產業資訊 » 產業 » 正文

第四屆車用半導體創新合作峰會專家觀點集錦: 新趨勢與新機遇

放大字體  縮小字體 發布日期:2024-11-25 瀏覽次數:1257

 隨著電動汽車和智能網聯汽車的進一步普及,先進駕駛輔助系統(ADAS)和自動駕駛技術的發展、汽車電氣化趨勢的加速,以及消費者對車載信息娛樂系統和車聯網功能的需求增加,驅動車用半導體的市場需求持續增長。在功率半導體、傳感器、處理器和通信芯片等領域,車用半導體技術不斷進步。 

近日,由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)主辦的第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(IFWS&SSLCHINA2024)在蘇州召開。

現場圖2

論壇期間的“第四屆車用半導體創新合作峰會”上,安世半導體中國區SiC戰略及業務負責人王駿躍,株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家、功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任劉國友,杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統應用技術高級經理朱曉慧,廣東芯聚能半導體有限公司總裁周曉陽,英飛凌科技(中國)有限公司主任工程師張浩,長城汽車投資總監耿偉等專家們齊聚分享精彩報告,共同探討新的發展趨勢下,車用半導體創新合作發展。廣東芯聚能半導體有限公司總裁周曉陽,株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家、功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任劉國友共同主持峰會。

 王駿躍

王駿躍

安世半導體中國區SiC戰略及業務負責人

安世半導體中國區SiC戰略及業務負責人王駿躍做了“安世碳化硅,超高性能賦能電氣化和綠色節能的美好未來”的主題報告,結合中國SiC器件市場的分析,分享了安世半導體的產品組合與發展策略。報告指出,當前MOSFET領域,國內在工業級上逐漸發力,依靠價值競爭力爭取試錯機會,車規級開展驗證,大批量生產需要耐心。但也面臨價格戰、大批量車規級穩定性,資本市場遇冷,政治風險對供應鏈影響等隱患。碳化硅分立器件市場和客戶在技術、價格、供應/本土供應鏈、頭部客戶認可等方面都有相應的需求。安世半導體擁有多種產品組合。安世投資2億美元在德國漢堡建設SiC(8英寸,溝槽工藝)和GaN生產線,以滿足高功率半導體日益增長的市場需求。目標是打造下一代寬帶半導體IP(SiC和GaN)并建立生產基礎設施。

 劉國友1

劉國友

株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家、功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任 

株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家、功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任劉國友做了“軌道交通SiC功率器件研究與應用進展”的主題報告,分享了交通領域的電力設備,SiC器件在鐵路中的應用以及新一代3.3kV全碳化硅模塊。介紹了當前功率器件在電力機車和動車組中的廣泛應用,滿足PET在下一代軌道牽引系統中的應用需求所需的更高電壓和更大電流的SiC器件(IGBT)。報告指出,SiC器件在電動機械車輛中的應用前景廣闊,但在材料、制造和封裝方面還有很長的路要走。

 朱曉慧

朱曉慧

杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統應用技術高級經理

近年來新能源汽車取得了巨大發展,在世界范圍內銷量持續增長。杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統應用技術高級經理朱曉慧帶來了“士蘭微高性能SiC解決方案 賦能新一代主驅應用”的主題報告。報告指出,主驅逆變器作為新能源汽車核心部件,其性能對車輛續航里程、效率、可靠性、成本具有重大影響。主驅逆變器呈現出更高效率、 800V平臺、更高功率密度、安全&成本的發展趨勢。在電池和主驅逆變器之間加入Boost電路,可以提升系統效率和功率輸出;提升電機效率;降低電池成本。在主驅逆變器中,目前硅基IGBT是主流的解決方案。隨著SiC的廣泛應用,主驅正在從如今的400V架構往800V架構加速轉變 。隨著系統對電機功率需求不斷上升,新能源汽車電機功率不斷上升,單電機功率超過300KW甚至400KW。保證主驅逆變器安全可靠工作,是新能源車廠最關注的重點之一。新能源汽車廠商需要持續降低整車成本來擴張市場,必然對作為核心部件的主驅逆變器降價有強烈的需求。

 周曉陽報告

周曉陽

廣東芯聚能半導體有限公司總裁

廣東芯聚能半導體有限公司總裁周曉陽做了“碳化硅產業的機遇及挑戰”的主題報告。分享了SiC在新能源汽車上的應用、在工商業儲能PCS的應用、充電樁的應用、智能電網的應用等。報告指出,碳化硅芯片和器件將會以驚人的速度降低成本,在三年內達到硅基IGBT的1.5倍以下。碳化硅主驅將成為中高檔電動汽車的主流。碳化硅器件和模塊會以較快的速度滲透到儲能,光伏,電源等領域。

 張浩

張浩

英飛凌科技(中國)有限公司主任工程師

英飛凌在車規SiC(碳化硅)領域的發展非常迅速,其SiC技術在電動汽車市場中的應用非常廣泛,特別是在電力驅動系統中具有顯著的性能優勢。英飛凌科技(中國)有限公司主任工程師張浩分享了英飛凌最新車規SiC產品與應用。分享了帶有嵌入式SBD的SiC MOSFET,采用HPD Gen2封裝的英飛凌Si/SiC融合電源模塊。英飛凌先進的轉換控制柵極驅動器。用于OBC PFC應用的英飛凌Si/SiC混合分立D2PAK封裝。

 耿偉

耿偉

長城汽車投資總監

長城汽車投資總監耿偉帶來了“國產化芯片機會和長城汽車布局”的主題報告。當前,國產車規芯片應用存在著國產車規芯片使用率低,產品覆蓋率與實際上車率存在差異的難點。

從數量上看,我國主流車企單車等芯片數量需求一般超過400顆,但平均實際可使用的國產芯片在幾十顆左右,國產替代率 10-15%;類型上,國產車規芯片的品類較多,其中以功率類芯片上車進展較快,但MCU、控制類芯片的國產化率不足5%。我國通過推薦清單鼓勵整車企使用國產芯片,從戰略層面上鼓勵國產芯片品類的豐富性和可替代性;而車企需要在國產化、可靠性、性價比之間尋求平衡。車規級MCU是汽車芯片國產化的突破口,車載MCU國產化取得進展,但上車率仍低。報告指出,整車E/E架構向中央服務網關發展,帶來新的芯片需求。整車E/E架構向中央服務網關發展,帶來新的芯片需求。傳統汽車E/E架構是分布式的,有眾多的ECU(電子控制器單元)分布在汽車中,處理網關功能的芯片是MCU。新的中央控制架構采用面向服務的網關,以整車為平臺,軟件更復雜、代碼量提升,從而需要更強算力的SoC芯片。服務型網關芯片的設計開發需要對新一代的汽車架構有深刻的理解,才能精準定義出符合市場需求的產品?;趥鹘y汽車開發經驗的積累,海外芯片仍處于行業主導。整車架構的變革,給了國產化芯片更廣闊的發展空間。 

(根據現場資料整理,僅供參考)

 
【版權聲明】本網站所刊原創內容之著作權為「中國半導體照明網」網站所有,如需轉載,請注明文章來源——中國半導體照明網;如未正確注明文章來源,任何人不得以任何形式重制、復制、轉載、散布、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部。
 
[ 資訊搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告訴好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 關閉窗口 ]

 
0條 [查看全部]  相關評論

 
關于我們 | 聯系方式 | 使用協議 | 版權隱私 | 誠聘英才 | 廣告服務 | 意見反饋 | 網站地圖 | RSS訂閱