國家知識產權局信息顯示，廈門未來顯示技術研究院有限公司申請一項名為“一種LED外延結構及其制備方法”的專利，公開號CN 118763161 A，申請日期為2024年6月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種LED外延結構及其制備方法，其所述有源層通過最后一個量子壘層與所述電子阻擋層形成接觸；且，在所述電子阻擋層中嵌入最后一個量子阱層。基于上述結構，通過在最后一個量子壘層和最后一個量子阱層之間夾雜設有所述前置電子阻擋層，從而增加了電子有效勢壘高度藉以減少電子泄露此外通過在所述電子阻擋層中嵌入最后一個量子阱層，有利于增強其電子俘獲能力并增加空穴隧穿使載流子在有源層分布更加均勻，最終得以提升LED芯片的整體發光性能；同時，可通過后置電子阻擋層進一步遲滯電子的遷移速率。