国产一级在线_欧美一日本频道一区二区三区_久久精品视频9_欧美性生交大片

 
 
當(dāng)前位置: 首頁 » 資訊 » 產(chǎn)業(yè)資訊 » 產(chǎn)業(yè) » 新型顯示 » 正文

國內(nèi)高校實現(xiàn)MicroLED技術(shù)突破,涉及深紫外、光通訊

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2024-08-13 瀏覽次數(shù):304

 Micro LED是具有超小尺寸、超高亮度、對比度、長壽命、低功耗、快速響應(yīng)等優(yōu)勢的新型顯示技術(shù),其潛在應(yīng)用豐富。目前Micro LED主要應(yīng)用于大尺寸顯示、AR近眼顯示領(lǐng)域,隨著近年技術(shù)與成本的持續(xù)優(yōu)化,Micro LED技術(shù)也在往可穿戴設(shè)備、車載顯示等更多應(yīng)用領(lǐng)域延伸。

而在近日,中國高校團(tuán)隊相繼在Micro LED領(lǐng)域取得新研究成果,推動Micro LED技術(shù)應(yīng)用往光通信和深紫外領(lǐng)域應(yīng)用。

鄭州大學(xué)等團(tuán)隊研發(fā)提升深紫外Micro LED效率新技術(shù)

近日,外媒報道,鄭州大學(xué)、鄭州軌道工程學(xué)院和北方民族大學(xué)研究團(tuán)隊在學(xué)術(shù)期刊《Scientific Reports》上發(fā)表一種提高深紫外Micro LED效率的新方法。

研究人員解釋,標(biāo)準(zhǔn)深紫外Micro LED存在嚴(yán)重的電子泄漏,空穴注入效率低的問題,且隨著尺寸越小,側(cè)壁缺陷越多,效率將進(jìn)一步降低。為解決該問題,研究人員在空穴供應(yīng)層和電子供應(yīng)層(p-HSL和n-ESL)中引入了極化電荷(polarized bulk charges),以增強(qiáng)載體的結(jié)合,提高載體的注入效率。

圖片來源:Scientific Reports

研究人員表示,通過新技術(shù)應(yīng)用,團(tuán)隊研究的DUV Micro LED電子密度提升了77.93%,空穴密度提升了93.6%。Micro LED的光功率和最大外量子效率分別達(dá)到31.04 W/cm²和2.91%,在120 A/cm² 電流密度下,效率僅下降2.06%。

廈門大學(xué)與陽明交大研發(fā)紅/黃光Micro LED光通信技術(shù)

廈門大學(xué)和中國臺灣陽明交通大學(xué)的研究人員通過將氮化銦鎵(InGaN)黃光、紅光 Micro LED應(yīng)用于光通信 (VLC)系統(tǒng)當(dāng)中,實現(xiàn)了更高的光通信效率。

圖片來源:ACS Publications

研究人員表示,與光通信系統(tǒng)中常用的硅基光電二極管相比,氮化銦鎵光電二極管具有低噪和高靈敏度的優(yōu)勢。該研究表明,與之前使用的較短波長Micro LED光電二極管相比,此次研究的紅/黃光Micro LED對藍(lán)光擁有更高的響應(yīng)程度。

據(jù)悉,長波長的氮化銦鎵Micro LED具有在新型顯示和可見光通信領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。在本次研究中,研究團(tuán)隊為光通信應(yīng)用制造了紅光和黃光Micro LED,作為光通信發(fā)射器和光電二極管 (PD),并采用應(yīng)力調(diào)制工程和原子層沉積(ALD)技術(shù)來提高傳輸和檢測性能。

實驗結(jié)果表明,在用作光通信發(fā)射器時,紅光和黃光Micro LED在2000 A/cm²電流密度下表現(xiàn)出439.7和532.5 MHz的高調(diào)制帶寬,分別實現(xiàn)1.9和2.4 Gbps的數(shù)據(jù)速率。當(dāng)用作光通信光電二極管時,具有高銦成分量子阱的長波長Micro LED表現(xiàn)出更長波長吸收邊緣,這有望在濾除熒光成分的同時實現(xiàn)對藍(lán)光更高的響應(yīng)度。

另外,紅光和黃光Micro LED光電二極管的響應(yīng)光譜與大部分藍(lán)色信號重疊,因此對于450 nm的波長光,紅光和黃光Micro LED的響應(yīng)度分別高達(dá)0.208和0.135 A/W,高于現(xiàn)有的氮化銦鎵LED光電探測器。此外,研究團(tuán)隊還表示,基于波長選擇性,長波長的Micro LED電二極管可濾除緩慢的熒光發(fā)射,從而實現(xiàn)高于硅基探測器數(shù)倍的白光調(diào)制帶寬。

(來源:LEDinside)

 

 
【版權(quán)聲明】本網(wǎng)站所刊原創(chuàng)內(nèi)容之著作權(quán)為「中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)」網(wǎng)站所有,如需轉(zhuǎn)載,請注明文章來源——中國半導(dǎo)體照明網(wǎng);如未正確注明文章來源,任何人不得以任何形式重制、復(fù)制、轉(zhuǎn)載、散布、引用、變更、播送或出版該內(nèi)容之全部或局部。
 
[ 資訊搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告訴好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 關(guān)閉窗口 ]

 
0條 [查看全部]  相關(guān)評論

 
關(guān)于我們 | 聯(lián)系方式 | 使用協(xié)議 | 版權(quán)隱私 | 誠聘英才 | 廣告服務(wù) | 意見反饋 | 網(wǎng)站地圖 | RSS訂閱