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韓國半導體廠商研發 ALD 新技術,降低 EUV 工藝步驟需求

放大字體  縮小字體 發布日期:2024-07-16 瀏覽次數:254

韓媒 The Elec 報道,韓國半導體公司周星工程(Jusung Engineering)最新研發出原子層沉積(ALD)技術,可以在生產先進工藝芯片中降低極紫外光刻(EUV)工藝步驟需求。極紫外光刻(EUV)又稱作超紫外線平版印刷術,是一種使用極紫外光波長的光刻技術,目前用于 7 納米以下的先進制程,于 2020 年得到廣泛應用。

周星工程董事長 Chul Joo Hwang 表示當前 DRAM 和邏輯芯片的擴展已達到極限,因此需要像 NAND 一樣,通過堆疊晶體管的方式克服這個問題。半導體行業如果想要把晶體管微縮到更小尺寸,一種方案就是堆疊晶體管,其中一個佐證是深紫外線(DUV)設備有望用于生產 3D DRAM。

Hwang 說,隨著堆疊變得越來越重要,ALD 機器的需求也將增加。III-V 和 IGZO 半導體的生產也需要 ALD 設備。

(來源:IT之家)

 

 

 
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