4月29日，法國3D結構GaN LED技術開發(fā)商Aledia宣布，公司成功研發(fā)1.5μm以下的Micro LED并具有超過32%的外部量子效率（EQE），從而實現(xiàn)每瓦電功率為320毫瓦可見光輸出的光電轉換效率 (WPE) ，能源效率創(chuàng)造了新的世界記錄。

Aledia表示，高EQE意味著更多的電力被轉換為可見光，從而降低能耗并延長了設備電池壽命。同樣，高WPE說明了Aledia的Micro LED能夠提供明亮、生動的顯示，同時用電更少，這為建立高性能環(huán)保顯示技術提供了一種新的規(guī)范。
Aledia還表示，通過深度科技技術，新研發(fā)的Micro LED在原生紅、綠、藍色的 (RGB) 方向性和像素尺寸縮小方面上取得了突破性進步，讓AR顯示效果更加清晰，圖像更將鮮艷。

此外，Aledia還透露公司Micro LED產品已達到99% DCI P3色域標準，產品可實現(xiàn)更廣泛的色彩范圍，Micro LED技術色彩保真度方面進一步加強，確保終端應用的顯示效果。資料顯示，Aledia于2012年從法國Micro和納米技術領先研究機構CEA-Leti實驗室分拆出來，公司一直致力于3D結構GaN Micro LED技術的研發(fā)，該技術也稱作納米線技術（nanowire）。

納米線技術通過在晶圓上進行納米等級的柱狀立體加工制程打造出LED，這種LED產品擁有更高發(fā)光亮度，并且通過調節(jié)納米線結構即可實現(xiàn)全彩顯示。Aledia的Micro LED產品可用于各類顯示產品上。去年10月，Aledia完成最新一輪融資，融資金額為1.2億歐元（約合人民幣9.24億元），融資資金將用于量產Micro LED產品。

（來源：LEDinside）