高透過率AlN單晶襯底是制造Far-UVC器件的關鍵材料之一，它具有優越的光學性能和生物安全性，可用于各種應用，以實現空氣和水的凈化、食品安全和醫療設備的消毒等目標。這些器件有望在未來的健康和安全領域發揮重要作用。

近日，以“構建紫外新興業態、促進科技成果轉化”為主題的“第三屆紫外LED國際會議暨長治LED產業發展推進大會”在山西長治盛大開幕。會議由長治市人民政府、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，長治市發展和改革委員會、長治國家高新技術產業開發區管委會承辦。

期間，“紫外LED殺菌及創新應用分會”上，奧趨光電技術（杭州）有限公司CTO、博士王琦琨帶來了“高透過率AlN單晶襯底基Far-UVC器件進展”的主題報告，分享相關技術的研究成果與進展,包括Ultratrend技術、AlN的性質及其潛在應用、AlN PVT生長工藝綜述、Al極性AlN晶體的生長與表征、AlN襯底在遠紫外LED上的初步驗證等。

報告指出，AlN在深紫外光電子、激光器和傳感器器件以及功率器件和快速電聲SAW/BAW器件中具有巨大的潛力。AlN襯底的高成本主要來自于晶體生長的技術難題，如雜質去除、極高溫度工藝、耗材成本以及尺寸增大、產率低的迭代生長過程等。奧趨開發了內部傳質/過飽和/生長速率預測/3D應力FEM模塊，以及一系列專有技術，以實現第1代/第2代/第3代PVT生長反應器，并生長大于2英寸的高質量AlN晶體。材料表征顯示了2-in。生產級大塊AlN晶片。初步在C平面體AlN襯底上的遠紫外LED（233nm）器件已經成功演示，器件的制造和優化仍在進行中。

（以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>