氮化鋁鎵（AlGaN）材料在深紫外光電子學領域具有廣泛的應用潛力，尤其是在深紫外發光材料與器件方面。隨著深紫外光電子學應用的不斷擴展，AlGaN技術有望在各種領域取得更大的突破。

9月12日-14日，以“構建紫外新興業態、促進科技成果轉化”為主題的“第三屆紫外LED國際會議暨長治LED產業發展推進大會”在山西長治盛大開幕。會議由長治市人民政府、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA ）主辦，長治市發展和改革委員會、長治國家高新技術產業開發區管委會承辦。

開幕大會上，北京大學教授沈波帶來了“AlGaN基深紫外發光材料與器件”的主題報告。氮化物半導體具有禁帶變化范圍寬、二維電子氣密度高等一系列優異性質，是繼Si和GaAs之后最重要的半導體材料，全球高技術競爭的關鍵領域之一，我國政府高度重視，在若干國家科技和產業計劃中，均把其列為重點支持方向。AlN和高Al組分AlGaN是制備DUV-LED不可替代的第三代半導體，無汞污染、電壓低、體積小、效率高、壽命長、利于集成。AlGaN基UV-LED面臨著材料外延等一些關鍵科學技術問題。報告詳細分享了高質量AlN及其量子阱的外延生長、AlGaN的高效p型摻雜和器件研制的研究進展與成果。

報告指出，由于異質外延和體系內部大失配、強極化的特性，AlN、高Al組分AlGaN及其量子結構的外延生長和DUV-LED研制依然面臨一系列關鍵科學和技術問題；研究發明數種藍寶石襯底上AlN外延方法，NPSS襯底上AlN外延層XRD搖擺曲線半高寬達132 (002) /140(102) arcsec；NPAT襯底上AlN外延層位錯腐蝕坑密度達~104cm-2，相比于NPSS低2個數量級；在AlN/藍寶石模板上外延生長出高質量AlGaN基多量子阱，發光波長277~278 nm，IQE達83.1%；發明“脫附控制超薄層外延”方法，制備出短周期超晶格結構p-AlGaN層， 空穴濃度達8.1×1018cm-3；在上述工作基礎上，實現了發光波長:  277~278 nm，光輸出功率36.9 mW@100 mA的深紫外LED器件。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）