基于半導體材料的半導體芯片是信息化社會各個行業不可或缺的食糧，其發展水平是反映一個國家高技術實力、國防能力和國際競爭力的主要標志之一。以化合物半導體為代表的半導體新材料快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局的重塑產生至關重要的影響。

4月20日，首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業大會開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術開發區管理委員會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創新平臺聯盟共同主辦。武漢市人民政府市長程用文出席并致辭，副市長王清華主持，武漢東湖高新區管委會主任張勇強作專題推介并發布九峰山科技園規劃。

中國工程院院士、國家新材料產業發展委員會主任干勇，中國工程院院士、華中科技大學校長尤政，中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍，中國科學院院士、南京大學教授祝世寧，中國工程院院士、清華大學教授羅毅，中國科學院院士、中國科學技術大學教授封東來，瑞典隆德大學教授、瑞典皇家科學院、工程院兩院院士 Lars Samuelson，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲等海內外院士、專家、企業嘉賓，以及來自化合物半導體產學研用產業鏈相關的科研人才、知名企業高管、投資機構、媒體代表等1200余人參會，聚焦全球化合物半導體發展態勢，探索未來合作發展方向。

匯智聚力 構建化合物半導體產業技術應用創新生態

當前全球半導體產業正處于新一輪深度調整階段，各主要經濟體全力布局半導體產業，力爭在新的產業格局中占據有利位置。以第三代半導體為代表的化合物半導體材料快速崛起，也是我國重構全球半導體產業競爭格局的重要突破口。

中國工程院院士干勇

中國工程院院士干勇致辭時表示，當前以第三代半導體為代表的化合物半導體材料快速崛起，將成為整個信息產業中一個新的經濟增長極。未來2-3年是產業發展的關鍵期，半導體新材料、工藝和裝備這三個核心產業環節協同研發創新是建立半導體技術和產業核心競爭力的必要途徑。希望光谷搶抓發展機遇期，加速打造化合物半導體產業集群，在新一輪半導體產業競爭中發揮更大的作用。

中國工程院院士尤政

半導體是信息產業和國家競爭的基石，化合物半導體以其優異性能成為光電子、射頻通信和電力電子等產業自主創新發展和轉型升級的核心材料，被認為我國半導體行業開道超車的機會。光谷在光電子信息產業領域獨樹一幟，具備發展化合物半導體技術與應用的良好基礎，搶抓化合物半導體產業發展機遇，將更加豐富光谷光電子產業內涵，提升產業綜合競爭力，助力“世界光谷”建設。華中科技大學將通過產學研深度合作，繼續加強在化合物半導體領域學術型、工程型、技術型等多層次創新人才培養，以重大項目為依托，加強行業關鍵核心技術攻關，助力光谷打造成為全球化合物半導體創新生態標桿、產業引領高地和尖端人才集聚區。

開幕式上，圍繞打造全球化合物半導體創新燈塔和產業高地，東湖高新區發布九峰山科技園區規劃，宣布九峰山實驗室發展進度，設立產業基金，簽約項目總金額近300億元。

九峰山實驗室產業帶動項目

東湖高新區舉辦此次大會，布局化合物半導體產業鏈，將九峰山科技園作為武漢新城重點建設的科技項目，著力于產業生態集群的打造，正式吹響化合物半導體產業發展的沖鋒號。

九峰山科技園空間布局圖

九峰山科技園構建“一核三區，雙軸交匯”的空間格局，“一核”即九峰山實驗室科技創新核，系統布局實驗室、研究院、孵化器等創新業態，“三區”為創新策源區、產業發展區、人才集聚區“三區”。九峰山科技園將構建設備、材料、設計、芯片、器件、模塊、制造、封裝、檢測的全產業鏈體系，推動創新鏈、人才鏈、資金鏈和產業鏈深度融合發展，形成創新活躍、要素齊全、開放協同的產業生態，成為化合物半導體產業全球科技人才首選地。

九峰山實驗室

其中，九峰山實驗室致力于建設先進的化合物半導體研發和創新中心，已建成全球化合物半導體產業最先進、規模最大的科研及中試平臺，包括全球一流的化合物半導體工藝、檢測、材料平臺，今年3月實現8寸中試線通線運營。

到2025年，九峰山科技園將基本落成，聚集產業鏈企業100家以上，培育1-2家細分領域龍頭企業，形成化合物半導體全產業生態；到2035年，九峰山科技園全面建成，成為全球化合物半導體領域最重要的科研和產業高地，誕生一批戰略性原創科學成果，培育一批具有國際競爭力的領軍企業，推動我國化合物半導體技術水平實現全球領先。

先進趨勢前瞻  與化合物半導體產業發展動向共舞

化合物半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，恰好符合半導體產業發展所需，隨著材料制備技術與下游應用市場的成熟，以及物聯網、5G時代的到來，以GaAs、GaN、SiC等為代表的化合物半導體正快速崛起中，市場空間不斷拓展。

大會主旨報告環節，十大國際重量級報告，高屋建瓴，從產業鏈不同角度、不同領域解讀產業發展走向，全面分享國際化合物半導體技術及應用的最新進展，高峰對話，深入交流探討產業發展前沿新方向。中科潞安紫外光電科技有限公司董事長、中國科學院半導體研究所原所長、半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任李晉閩，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長、中科院半導體研究所原副所長楊富華，華為光工廠廠長喬士剛共同主持了該環節。

中科潞安紫外光電科技有限公司董事長、中國科學院半導體研究所原所長李晉閩

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華

華為光工廠廠長喬士剛

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲

以數字、能源、生命健康為代表的新一輪科技和產業變革將顛覆性影響人類未來發展，改變生產、生活、思維方式，重塑生產關系和經濟模式。以半導體為核心底層技術的顛覆性技術不斷涌現。CASA理事長吳玲分享了新形勢下我國化合物半導體產業發展戰略的思考，報告指出，發展第三代化合物半導體不僅是要擺脫對國外的技術依賴，最重要的是它在市場驅動下需求迅猛，將支撐能源與環境所面臨的嚴峻挑戰，支撐以互聯網為標志的新一代信息技術的可持續發展，支撐智能化為代表的制造業升級和高新技術產業發展迫切需求。她建議，要以應用促發展、建集群，建立協同創新的產業體系和生態，還必須精準推進國際科技合作，加強非政府間合作，主動參與國際標準制定，系統梳理國際人才戰略，強化對國際人才吸引力。

中國科學院院士郝躍

半導體材料是芯片高速發展的重要驅動力，同時可帶動多學科發展，化合物半導體材料是芯片發展的重要推動力。中國科學院院士郝躍分享了化合物半導體器件進展與挑戰，從硅機新型材料、寬禁帶半導體以及超寬禁帶半導體三個方面，詳細闡釋了化合物半導體材料的最新進展，指出異質集成是未來重要的發展方向，依托公共、開放平臺，突破硅集成電路和化合物半導體功能集成，推動整個電子信息產業的不斷的發展。

中國工程院院士羅毅

隨著人工智能和機器學習等多項新興技術的應用，高速半導體器件的需求不斷增加，為化合物半導體市場發展帶來利好。中國工程院院士羅毅從光電子器件與人工智能的跨界角度帶來新的信息，詳細分享了光電子器件與光纖通信、固態照明及顯示、高速3D感知等技術研究進展，以及智能成像芯片的最新發展動態。他表示，感存算一體化集成芯片是智能成像芯片的發展趨勢。

中國科學院院士祝世寧

化合物半導體材料、工藝與設備等技術的發展將極大的支撐并推動化合物半導體的發展進程，薄膜鈮酸鋰在光電器件與集成發揮著作用，器件的尺寸大幅減小，性能大幅度提升，滿足光電子技術不斷發展的需要。中國科學院院士祝世寧分享了薄膜鈮酸鋰的機遇與挑戰，詳細介紹了薄膜鈮酸鋰的發展狀況及國內外最新技術研究進展，并指出，光子集成的核心材料與技術路線仍未完全確立，是挑戰也是機遇。薄膜LN集成光子學將很快成為集成光子學聯盟中強大的競爭者和不可或缺的參與者，它的復雜性和應用前景令人期待。

瑞典皇家科學院院士Lars SAMUELSON

半導體發光器件是固態顯示與照明技術的共同基礎。新型顯示技術不斷迭代，提升顯示效果，其中Mini/Micro LED 顯示技術正成為新興顯示技術新的一極，為顯示領域注入了新的成長動力。瑞典皇家科學院院士Lars SAMUELSON分享了氮化物Micro LED到超小像素的挑戰和機遇。

華為光領域Fellow肖新華

光集成技術是未來光器件的主流發展方向。華為光領域Fellow肖新華分享了光通信發展中面臨的器件需求和挑戰。報告指出，長途相干預計將向單波800G/1.6T演進，推動200GB+高帶寬器件發展。光RoF預計將是支撐未來無線和WiFi前瞻低功耗的重要技術。未來光通信，光傳感、光顯示將涉及星際光、激光雷達、超長距光纖傳感、AR HUD虛實結合等方向延伸。

華大半導體副總經理劉勁梅

當前，SiC功率器件進入放量窗口期，國產器件已經開始被市場接受，SiC市場規模持續擴大。華大半導體副總經理劉勁梅分享了中國碳化硅產業發展的機遇與挑戰。報告指出，國內碳化硅產業鏈能夠支撐當前市場應用需求，尤其是設計和制造結合，器件特性達到國際領先水平。產業降本提質成為當前核心，產業鏈各環節都不同程度面臨挑戰。SiC技術不斷發展，一些關鍵技術問題需要基礎課題研究，需要產學研大力合作。

北京北方華創微電子裝備有限公司總裁董博宇

SiC市場需求向好，全球碳化硅產業格局紛爭，全產業鏈延伸趨勢明顯，國產裝備也在不斷前向發展。北京北方華創微電子裝備有限公司總裁董博宇分享了國產碳化硅裝備與第三代半導體產業發展的助力。北方華創專注化合物半導體工藝研發，SiC高速通孔刻蝕設備，高致密低應力PECVD薄膜沉積設備等，覆蓋SiC Trench、GaN ALE等工藝，已在國內多條主流生產線上實現量產應用。報告從設備角度詳細分享了SiC領域的系列解決方案，并表示作為裝備企業，需要深耕，不斷吸收先進理念，持續進行工藝創新。

華大九天副總經理朱能勇

EDA貫穿集成電路（IC）產業設計、制造、封測等各個環節，在芯片產業中不可或缺，不同應用場景下器件結構性、設計流程、仿真驗證都有差異，針對性的開發全流程EDA工具勢在必行。華大九天副總經理朱能勇分享了基于第三代半導體技術的EDA方法研究與應用。報告詳細分享了化合物半導體電路的基本設計流程及構建統一全定制設計大平臺、光電全流程EDA設計系統、射頻微波全流程EDA設計系統、高效電路仿真和光學仿真等內容，并指出，EDA技術發展，將呈現發無處不在的工具覆蓋及技術集成平臺化，從芯片到系統發展，從自動化到智能化的發展趨勢。

安芯投資董事長兼總經理王永剛

資本是產業發展的重要助推力。安芯投資董事長兼總經理王永剛分享了科技資本助力化合物半導體產業生態構筑。創新與資本相伴同行，作為較早進入半導體投資領域的資本力量，安芯資本已成為國內領先、國際知名的半導體產業推動者，報告中王永剛分享了資本角度的投資邏輯與方法論，以及SiC、GaN等方向的產業投資布局，并表示，將繼續通過科技資本強力助推化合物半導體產業生態的蓬勃發展。

本屆論壇為期三天，除了開幕大會，設有5大主題平行論壇，將有超70位國內外知名科研院所專家學者、產業鏈知名企業高管，分別圍繞化合物半導體關鍵材料與制備工藝、化合物半導體核心裝備及儀表、EDA工具與生態鏈、光電子器件及集成技術、功率電子器件及應用等幾大重點方向分享前沿主題報告。專題聚焦，深入探討產業鏈關鍵環節相關重點技術發展進展與前沿趨勢，傳遞最新技術發展信息，促進產業鏈不同環節協同創新。

同時，論壇還設置了主題展覽，交流晚宴、商務考察等線上線下豐富的活動形式，凝心聚力，助力對接資源，洽談合作。

綠色低碳發展，萬物智能互聯成為全球共識，加快發展化合物半導體產業是提升我國半導體產業基礎能力、建立未來戰略優勢的關鍵所在。在新的國際形勢背景下，多方強強聯合，攜手主辦本次論壇，將為業界搭建高規格、國際化的產業技術交流平臺，吸引全球技術及產業資源聚集，促進化合物半導體產業鏈、創新鏈，價值鏈，人才鏈、服務鏈等全鏈條發展，推動創新體系和生態完善，共謀化合物半導體產業發展。