相比傳統LCD、OLED，Micro LED具有高解析度、低功耗、高亮度、高對比、高色彩飽和度、反應速度快、厚度薄、壽命長等特性，被認為是未來顯示技術的主流方向，在VR/AR、高清、柔性、穿戴式等顯示領域有著極高的應用潛力。

Micro LED顯示器是由數百萬個三色RGB芯片組成的。通常來說，受限于外延生長技術，在大面積外延基板上同時生長高質量的三色RGB芯片極為困難，因此需要將生長在外延基板上數百萬甚至數千萬顆微米級的三色RGB芯片依次轉移到驅動電路基板上，實現RGB排布。

三色RGB芯片轉移示意圖

然而，由于Micro LED的特征尺寸小于100μm，傳統轉移技術在轉移效率、轉移精度上很難達到要求。傳統轉移技術對單顆芯片的尺寸要求存在物理極限，芯片太小無法轉移，轉移精度也難以滿足；機械臂在芯片轉移的過程中也存在時間極限，轉移效率難以提高，這意味著傳統轉移技術及設備已無法適配Micro LED轉移制程。

面對以上技術挑戰，為實現快速且精準地轉移及減少后續檢修壓力，巨量轉移技術應運而生。Micro LED巨量轉移技術已被證明是能夠克服組裝Micro LED芯片極端要求的有效解決方案。Micro LED巨量轉移設備是采用激光轉移技術，利用特殊整形后的方形光斑，結合高速振鏡掃描，可以實現高速加工，將微米級Micro LED芯片逐一轉移到下層基板（玻璃或者膜材）上。Micro LED巨量轉移設備是Micro LED生產過程中的核心裝備之一，是影響Micro LED的良率與制造成本的關鍵。

Micro LED激光巨量轉移技術示意圖

大族半導體自2019年開始對激光巨量轉移技術進行布局，探索應對Micro LED芯片轉移要求的關鍵解決方案，于2021年11月，自主研發并推出國內首臺固體Micro LED激光巨量轉移設備；于2022年10月，自主研發并推出國內首臺準分子Micro LED激光巨量轉移設備，均通過頭部客戶驗證，實現銷售。

Micro LED激光巨量轉移設備

設備特點：

利用整形后的光斑，選擇性的將芯片轉移到下基板；

芯片落位精準，且無損傷；

可以實現全部轉移和任意位置的轉移。

加工效果：

大族半導體將持續憑借相對全面的布局與整合能力，為Micro LED提高更強的核心競爭力，加快Micro LED商業化發展步伐。未來，大族半導體也將不斷優化產業布局與完善自身產品結構，堅持對產品品質始終如一的高標準、嚴要求，持續自主創新發展理念，與行業共同進步，協同發展。

（來源：大族半導體）