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國星光電近日獲Mini/Micro LED、第三代半導體等領(lǐng)域11項發(fā)明專利證書

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-01-11 瀏覽次數(shù):277

國星光電公布,公司于近日收到11項發(fā)明專利證書,其中中國國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的發(fā)明專利證書8項、美國發(fā)明專利證書3項,分別為一種集成模塊及功率器件,一種背光LED模組及其封裝方法,LED線背光源液晶顯示屏,LED背光模組、顯示屏及LED背光模組檢測方法,LED器件和背光模組,一種全彩化顯示模塊及顯示裝置,一種模塊及模塊加工方法,LED器件、LED燈帶及亮化系統(tǒng),一種LED器件、LED器件的制造方法和LED車燈,一種支架陣列、單體支架、器件陣列及發(fā)光器件,LED支架加工方法和加工裝置。

近幾年公司聚焦Mini&MicrOLED超高清顯示領(lǐng)域,加速布局第三代半導體等前瞻領(lǐng)域賽道,狠抓核心技術(shù)攻堅,形成了多項自主知識產(chǎn)權(quán)。上述取得的發(fā)明專利:其中6項涉及Mini/MicroLED技術(shù)領(lǐng)域?qū)@?項涉及第三代半導體技術(shù)領(lǐng)域?qū)@?。涉及Mini/MicroLED技術(shù)領(lǐng)域的6項專利,其技術(shù)方案涉及封裝膠工藝改善、線路板檢測點設(shè)置、超高清顯示模組結(jié)構(gòu)設(shè)置、芯片精準轉(zhuǎn)移等方面,通過以上技術(shù)方案可以提高超高清顯示產(chǎn)品的集成度,優(yōu)化及簡化線路結(jié)構(gòu)設(shè)計,提升制程及封裝良率,形成成熟的封裝技術(shù)路線,確保顯示效果的一致性,提高產(chǎn)品的質(zhì)量。

涉及第三代半導體領(lǐng)域的1項發(fā)明專利,該集成模塊以器件組為最基本單元,可應(yīng)用至半橋逆變式功率轉(zhuǎn)換電路或全橋逆變功率轉(zhuǎn)換電路中,具有良好的通用性,同時疊層設(shè)置能有效降低回路電流的路徑,降低模塊的寄生電感,提升集成模塊使用場景。上述專利的取得彰顯了公司在相關(guān)領(lǐng)域核心技術(shù)方面取得重要進展,相關(guān)專利的獲得雖不會對公司近期生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響,但對公司的工藝改進、產(chǎn)品創(chuàng)新、市場及品牌影響力提升等方面有積極的影響,有助于增強公司的核心競爭力。

 
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