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國星光電開發出Micro LED nStar Ⅱ,巨量轉移及鍵合良率達99.99%

放大字體  縮小字體 發布日期:2022-09-09 瀏覽次數:304
據國星光電官微,隨著5G時代超高清顯示新應用日漸興起,Micro LED作為新一代主流顯示技術備受關注,該技術具有高分辨率、高亮度、高色彩飽和度、高可靠性、低功耗、低延時、窄邊框、壽命長等諸多優勢,可廣泛用于大尺寸的超高清視頻墻和智慧屏、中小尺寸的車載屏和智能手表以及VR/AR等各種尺寸的電子消費品領域,未來前景可期。
 
國星光電繼第一代玻璃基透明被動驅動Micro LED顯示模組——nStar Ⅰ之后,近日,公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ為一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩顯示屏,像素間距300微米(P0.3),采用TFT驅動實現了8bit(256灰階)色深的顯示效果;基于自主搭建的Micro LED 技術創新研發平臺,同時突破了巨量轉移及巨量鍵合雙重技術難題,其綜合良率提升至99.99%,相關技術成果未來有望在大尺寸拼接智慧屏等高清顯示產品中獲得廣泛應用。
Micro LED Display:nStar Ⅱ
 
nStar Ⅱ玻璃基主動式驅動Micro LED顯示屏是通過巨量轉移技術將Micro LED微型芯片鍵合到玻璃基板上,利用TFT驅動實現高清畫面顯示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工藝迭代過程中,可在大面積上獲得超精細線路結構的TFT玻璃基板是理想的技術選擇。主動式驅動TFT背板既能實現Micro LED模組像素獨立控制,避免驅動像素串擾,又能在提升模組顯示亮度均勻性的同時大大降低功耗。
國星光電作為LED封裝技術的領跑者,自2018年國內率先成立Mini & Micro LED研究中心后,2020年又成立了廣東省半導體微顯示重點實驗室,旨在加強與學術界及產業界協作,聯手產業鏈上中下游各個環節,集中優勢資源攻克微顯示行業技術性難題,合力打破技術發展瓶頸,共同推進Mini/Micro LED產業化進程。目前,公司已在巨量轉移、共晶鍵合、量子點全彩化、檢測修復、高可靠性封裝等Micro LED領域多項關鍵技術上取得突破,Mini/Micro LED領域已申請發明專利100余件。接下來,國星光電布局深耕新型微顯示賽道,在玻璃基Micro LED技術路線方面,將重點布局高端智慧屏、車載顯示屏和智能手表;在硅基Micro LED技術路線方面,重點布局AR顯示領域。
 
數字時代,顯示產業已經成為升級信息消費、壯大數字經濟、發展電子信息產業的關鍵基石。Mini/Micro LED的時代正在到來,國星光電將進一步發揮LED垂直產業鏈資源整合優勢,加速推動更全面、更廣泛的Mini/Micro LED商業化顯示應用。
 
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