（紫外探測器芯片結構示意圖）

 

至芯半導體的研究人員通過重新排列紫外探測器芯片結構，在芯片中引入半導體倍增層，使得基于該芯片所制備的紫外探測器具有倍增性能，改善了電流擴展和應力分布均勻性，提高了AlInGaN半導體紫外探測器的光譜響應性能。芯片包括從下到上依次層疊的襯底1、半導體緩沖層2、半導體層4、第一N型半導體層5、第二N型半導體層6、紫外光吸收層7、N型半導體隔離層8、半導體倍增層9、P型半導體傳輸層10和P型半導體接觸層12。該芯片通過引入半導體倍增層9，使得探測器的倍增效果明顯增加。

 

由于AlGaN材料內(nèi)部有很多的位錯密度，導致AlGaN紫外探測器存在暗電流大，光譜響應度較低等問題。 研究團隊在深入分析上述問題的基礎上，將芯片還包括組分交替的半導體超晶格層3，位于半導體緩沖層2和半導體層4之間。通過在芯片結構中引入組分交替的半導體超晶格層3，能夠改善AlInGaN的材料質量，降低探測器的暗電流，進而在器件倍增的過程中，暗電流的倍增對器件整體的倍增效應影響較小，能夠提高紫外探測器的光譜響應度。該科研成果的出爐，使其日盲深紫外探測器可在陽光環(huán)境條件下對深紫外光信號進行探測，實現(xiàn)殺菌消毒和日盲通信等跨領域應用功能的集成，并在軍事、國防和科研領域具有非常重要的應用。

 

至芯半導體秉持團隊協(xié)作、持續(xù)創(chuàng)新、嚴于執(zhí)行及專于紫外的經(jīng)營理念，以卓越的科技創(chuàng)新能力打造豐富的行業(yè)解決方案，同時開發(fā)出高靈敏度的日盲探測芯片，實現(xiàn)日盲光通信的應用，構建開放共贏的產(chǎn)品生態(tài)，推動產(chǎn)業(yè)的規(guī)范建設，助力紫外殺菌、探測和通訊等各行各業(yè)的發(fā)展。

（來源：至芯半導體）