日前，來自美國麻省理工學院、休斯頓大學和其它機構的科研團隊，發現了迄今為止最佳半導體材料。該材料名為立方砷化硼，它既能為電子和空穴提供高遷移率，又有優良的電導率，而且還具有極高的導熱特性。相關成果已發表在近期《科學》雜志上，作者欄中包括多位華人，包括麻省理工學院機械工程教授陳剛、中科院任志峰（休斯敦大學）等。
《科學》雜志截圖
值得注意的是，立方砷化硼還只能在實驗室小規模量產和測試且不均勻。科學家還需要做更多的工作，來確定立方砷化硼是否能以實用、經濟的形式制造出來。不過，研究人員表示，在不久的將來，這種材料可能找到一些用途，使其特性產生重大影響。
據介紹，立方砷化硼對電子和空穴也有很高的遷移率，該材料有一個非常好的帶隙，這一特性賦予了它作為半導體材料的巨大潛力。眾所周知，已經成熟商用的硅材料具有良好的電子遷移率，但其空穴遷移率較差，而其他材料如砷化鎵，同樣具有良好的電子遷移率，但對空穴不具有良好的遷移率。
研究負責人表示，許多電子產品的主要瓶頸在于熱量，盡管碳化硅的電遷移率較低，但其熱導率是硅的三倍，因此碳化硅依然受到車企的歡迎。砷化硼的熱導率和遷移率比硅高10倍，僅次于金剛石和立方氮化硼。當然，作為一種新發現的材料，砷化硼的長期穩定性等許多其他性能還有待測試。
