半導體照明網獲悉：深紫科技長期致力于UVC芯片的技術開發，近期公司研發團隊在外延和芯片技術上不斷探索，成功實現了UVC大功率芯片技術突破。通過外延底層優化及核心層結構設計、芯片新型p型透明電極及特殊反射電極設計，成功研制出單顆光輸出功率140mW以上的大功率芯片。
深紫科技透露：“目前，該款產品已通過多位客戶的數輪驗證，進入批量供貨階段。”
深紫科技該款單芯尺寸為45*45mil，目前芯片已進行多輪可靠性測試。
在注入電流350mA的條件下，單芯光輸出功率104.54mW，其工作電壓在5.79V；在注入電流500mA的條件下，單芯光輸出功率可達143.43mW。
該款產品老化性能也相當優秀，在350mA驅動下，該芯片持續點亮1000小時，光功率維持率仍在90%以上，預估L70壽命可超過10000小時。該產品技術性能的突破，將助力深紫科技在國際市場上名列前茅。
45*45燈珠光電測試結果
封裝測試報告
壽命測試數據以及壽命曲線
深紫科技介紹，該產品技術性能的突破，不僅可以鞏固深紫科技的技術領先地位，更可以滿足深紫外LED在公共衛生殺菌領域的功率需求，促進深紫外LED產業的快速發展。
