半導體照明網訊：2022年8月15-18日，III-V族化合物半導體材料生產商和供應商--云南鑫耀半導體材料有限公司（簡稱鑫耀半導體）將攜最新產品參加參展“第十七屆全國MOCVD學術會議（MOCVD 2022），并展出砷化鎵、磷化銦等III-V族化合物半導體材料產品。
III-V族化合物半導體材料在光電子器件，光電集成，超高速微電子器件和超高頻微波器件及電路上得到重要應用，有廣闊前景。金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）技術自二十世紀六十年代提出以來，取得了飛速進步，已經廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其量子結構，極大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發展及產業化，也成為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料及相關器件研究的關鍵技術。未來MOCVD技術的發展將會給化合物半導體科學技術和產業發展帶來更為廣闊的前景。
全國MOCVD學術會議自1989年第一屆會議舉辦以來，已經成功舉辦了十六屆，會議規模和影響力越來越大，成為全國學術界和產業界廣泛參與的學術盛會。今年，第十七屆全國MOCVD學術會議（MOCVD 2022）將于8月16-19日在山西太原舉行。以“探索材料新動能·智創未來芯發展”為主題，本屆大會是在國家科學技術部指導下，由中國有色金屬學會、中國科學院半導體研究所、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合主辦。
據組委會透露，此次云南鑫耀半導體材料有限公司將亮相本次盛會，鑫耀半導體是云南鍺業控股子公司，其前身為北京中科鎵英半導體有限公司，是國內最早研發、生產高品質半絕緣砷化鎵和磷化銦襯底的企業。鑫耀半導體是我國著名的III-V族化合物半導體材料生產商和供應商，是云南省軍民融合企業，是中央軍委裝備發展部新材料產品重點扶持單位。鑫耀半導體擁有國內最具有產業化實力的III-V族高端光電半導體材料研發平臺和產業化生產線；擁有從單晶生長、晶片加工、測試檢驗完整的工藝線；擁有從磷化銦單晶爐設計制造、單晶生長、晶片加工等技術方面的核心人才35人，該團隊一直從事磷化銦單晶片（InP）、砷化鎵單晶片（GaAs）研發和產業化生產管理工作，具有豐富的半導體材料專業知識和產業化管理經驗。屆時，鑫耀半導體將攜最新產品參加參展“第十七屆全國MOCVD學術會議（MOCVD 2022），并展出砷化鎵、磷化銦等III-V族化合物半導體材料產品。
掌握4-8英寸砷化鎵晶片生產關鍵技術
支撐5G通信、無人駕駛等新興市場發展
砷化鎵作為半導體材料具有優良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導體器件，具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產射頻器件、激光器等器件產品。20世紀90年代以來，砷化鎵技術得以迅速發展，并逐漸成為最成熟的半導體材料之一。但長期以來，由于下游應用領域的發展滯后，市場需求有限，砷化鎵襯底市場規模相對較小。2019年后，在5G通信、無人駕駛、人工智能、可穿戴設備等新興市場需求的帶動下，未來砷化鎵襯底市場規模將逐步擴大。
砷化鎵襯底廣泛應用于射頻器件和通信基站
目前，砷化鎵襯底主要應用下游器件包括射頻器件、激光器，各器件需求情況分別如下：
（1）射頻器件
射頻器件是實現信號發送和接收的關鍵器件，射頻器件主要包括功率放大器、射頻開關、濾波器、數模/模數轉換器等器件，其中，功率放大器是放大射頻信號的器件，其直接決定移動終端和基站的無線通信距離和信號質量。由于砷化鎵具有高電子遷移率和高飽和電子速率的顯著優勢，因此砷化鎵一直是制造射頻功率放大器的主流襯底材料之一。4G時代起，4G基站建設及智能手機持續普及，用于制造智能手機射頻器件的砷化鎵襯底需求量開始上升。進入5G時代之后，5G通信對功率、頻率、傳輸速度提出了更高的要求，使用砷化鎵襯底制造的射頻器件非常適合應用于長距離、長通信時間的高頻電路中，因此，在5G時代的射頻器件中，砷化鎵的材料優勢更加顯著。隨著5G基站建設的大量鋪開，將對砷化鎵襯底的需求帶來新的增長動力；與此同時，單部5G手機所使用的射頻器件數量將較4G手機大幅增加，也將帶來對砷化鎵襯底需求的增長。
（2）激光器
激光器是使用受激輻射方式產生可見光或不可見光的一種器件，構造復雜，技術壁壘較高，是由大量光學材料和元器件組成的綜合系統。利用砷化鎵電子遷移率高、光電性能好的特點，使用砷化鎵襯底制造的紅外激光器、傳感器具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發光效率、高擊穿電壓等特點，可用于人工智能、無人駕駛等應用領域。
鑫耀半導體砷化鎵產品
鑫耀半導體采用目前世界先進的VGF法單晶生長技術和晶片加工技術，掌握4-8英寸砷化鎵單晶片生產關鍵技術：VGF法砷化鎵單晶生長爐的設計制造技術以及生長爐的熱場設計技術、VGF法4-8英寸化鎵單晶生長工藝技術和4-8英寸高平整度開盒即用砷化鎵單晶片的加工技術。公司半導體、半絕緣襯底產品的位錯密度、電阻率均勻性、平整度、表面顆粒度等關鍵性能指標優異，可滿足5G射頻功率放大器、可穿戴設備傳感器、車載激光雷達、生物識別激光器等高端市場對半導體襯底產品的性能要求。公司為全球范圍內少數產品可以應用于高端市場的 III-V族化合物半導體襯底企業之一。
規模化量產供應2-6英寸磷化銦襯底產品
廣泛用于光模塊、傳感及射頻器件
廣泛用于光模塊、傳感及射頻器件
磷化銦（InP）作為重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料之一，是繼Si（硅）、Ge（鍺）、GaAs（砷化鎵）之后的新一代電子功能材料。磷化銦具有諸多優點：較高的電光轉換率、飽和電子漂移速度和電子遷移率，導熱性好、抗輻射能力強，發光波長適宜光纖低損通信等。這些特征決定了其在射頻、光電子、移動通信、數據通信等多項領域的廣泛應用。未來，在數據中心、5G通信、可穿戴設備等新興市場需求的帶動下，磷化銦襯底市場規模將持續擴大，成本也將隨著規模效應而降低，進一步促進下游應用領域的發展。
磷化銦襯底可應用于5G通信、數據中心和可穿戴設備
在磷化銦產品方面，鑫耀半導體的主營產品為磷化銦襯底，可提供規格為2英寸、3 英寸、4英寸、6 英寸。可廣泛應用于光模塊器件、傳感器件、射頻器件，以及對應的下游5G通信、數據中心、人工智能、無人駕駛、可穿戴設備等終端領域。
（1）光模塊器件
光模塊是光通信的核心器件，是通過光電轉換來實現設備間信息傳輸的接口模塊，主要應用于通信基站和數據中心等領域。磷化銦襯底用于制造光模塊中的激光器和接收器。
5G通信是具有高速率、低時延和大連接特點的新一代寬帶移動通信技術。5G基站對光模塊的使用量顯著高于4G基站，隨著5G基站建設的大規模鋪開，疊加 5G 基站網絡結構的變化，將極大帶動對光模塊需求的增長。
數據中心主要服務于云計算廠商、大型互聯網企業、通信運營商、金融機構、政府機關等的數據流量需求。近年來隨著移動互聯網的普及，數據流量增長迅速，帶動云計算產業蓬勃發展，刺激了數據中心建設需求的增長，同時帶動了對數據中心光模塊需求的增長。
受益于全球范圍內5G基站大規模建設的鋪開，以及在數據流量爆發增長的背景下，全球云計算產業的發展也將帶動全球范圍內數據中心的大量建設，全球光通信行業將迎來重要發展機遇期，從而產生對光模塊需求的持續增長。在市場需求的帶動及我國政府新基建等政策的影響下，全球光模塊市場將保持快速增長態勢。
（2）傳感器件
由于磷化銦具備飽和電子漂移速度高、導熱性好、光電轉換效率高、禁帶寬度較高等特性，使用磷化銦襯底制造的可穿戴設備具備脈沖響應好、信噪比好等特性。因此，磷化銦襯底可被用于制造可穿戴設備中的傳感器，用于監測心率、血氧濃度、血壓甚至血糖水平等生命體征。此外，使用磷化銦襯底制造的激光傳感器可以發出不損害視力的不可見光，可應用于虛擬現實（VR）眼鏡、汽車雷達等產品中。
（3）射頻器件
磷化銦襯底在制造高頻高功率器件、光纖通信、無線傳輸、射電天文學等射頻器件領域存在應用市場。使用磷化銦襯底制造的射頻器件（以下簡稱“磷化銦基射頻器件”）已在衛星、雷達等應用場景中表現出優異的性能。磷化銦基射頻器件在雷達和通信系統的射頻前端、模擬/混合信號寬帶寬電路方面具有較強競爭力，適合高速數據處理、高精度寬帶寬A/D轉換等應用。此外，磷化銦基射頻器件相關器件如低噪聲放大器、模塊和接收機等器件還被廣泛應用于衛星通信、毫米波雷達、有源和無源毫米波成像等設備中。在100 GHz以上的帶寬水平，使用磷化銦基射頻器件在回程網絡和點對點通信網絡的無線傳輸方面具有明顯優勢，未來在6G通信甚至7G通信無線傳輸網絡中，磷化銦襯底將有望成為射頻器件的主流襯底材料。
最后，誠摯邀請您蒞臨第十七屆全國MOCVD學術會議（MOCVD 2022）鑫耀半導體展位參觀、交流及業務洽談，現場蒞臨展臺面對面高效交流。
屆時還能和參加MOCVD 2022的專家學者、工程技術人員和企業家圍繞MOCVD生長機理與外延技術、MOCVD設備（整機/部件/配件/原材料）、材料結構與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯網、半導體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。
更多會議詳情如下：
大會熱烈歡迎MOCVD及相關領域的專家、學者、行業企事業單位參會交流！
會議詳情請關注官網：http://www.mocvd.org.cn/。
