近日,有報道稱,東芝將在2022財年投資約1000億日元(約合8.3億美元)用于擴大石川縣工廠功率半導(dǎo)體的制造能力。此外,東芝正在研發(fā)將存儲容量提高至目前的1.7倍、達到30TB以上的技術(shù)。
據(jù)了解,東芝2022財年的投資金額比2021財年所預(yù)期的690億日元(約合5.7億美元)增加了約45%。計劃將于2023年春季開始,在生產(chǎn)子公司加賀東芝電子的場地內(nèi)新建生產(chǎn)廠房,引進新設(shè)備,而且現(xiàn)有的生產(chǎn)廠房內(nèi)也將增添新的生產(chǎn)線。東芝表示,使用碳化硅或氮化鎵的新一代功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能將增加。東芝的目標(biāo)是將功率半導(dǎo)體的整體產(chǎn)能提升2.5倍。東芝認(rèn)為,功率半導(dǎo)體有助于抑制電力損耗,隨著雙碳目標(biāo)的逐漸落地,需求正在增加。
賽迪顧問集成電路中心負(fù)責(zé)人滕冉向《中國電子報》記者表示,功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,下游應(yīng)用廣泛。近年來,隨著社會經(jīng)濟快速發(fā)展和技術(shù)工藝的不斷進步,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)和變頻家電等諸多市場,行業(yè)市場規(guī)模穩(wěn)健增長。
目前東芝的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要包括功率、通用邏輯IC、射頻器件、存儲(HDD)等。全球范圍內(nèi),東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具備較強競爭力,2020年在Discrete IGBTs領(lǐng)域東芝占有全球5.5%的市場份額,在MOSFETs領(lǐng)域東芝占有全球7.7%的市場份額。隨著全球環(huán)境氣候問題的日趨嚴(yán)峻,下游應(yīng)用市場更加注重節(jié)能減排,對功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)上升。東芝正是看中這一機會,擴充其功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。