公告顯示，公司于2017年6月與南昌高新技術產業開發區管理委員會簽署投資協議，在南昌高新區投資建設集研發、生產與銷售為一體的LED外延及芯片生產基地，項目成立至今已實現在化合物半導體LED領域的氮化鎵及砷化鎵4英寸芯片65萬片/月產能，產品覆蓋了化合物半導體LED全產品領域(照明、背光與顯示)。同時，公司于南昌高新區新建的RGB小間距LED顯示模組廠房已基本完成，預計2022年下半年投產。

 

　　本次公司計劃在南昌高新區繼續投資建設Mini LED芯片及RGB小間距LED顯示模組項目，項目預計總投資50億元，其中設備投資約25億元。項目計劃采購52腔MOCVD設備及相應產能芯片及配套設備用于生產氮化鎵Mini LED芯片，同時新增300-500條采用COB技術的小間距LED顯示模組產線。項目預計于2023年完成設備安裝調試并正式投入運營。