據(jù)招股書介紹，東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應用領域。憑借優(yōu)秀的半導體器件與工藝創(chuàng)新能力，東微半導集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設計公司之一。

 

財務數(shù)據(jù)顯示，東微半導報告期內(nèi)實現(xiàn)營業(yè)收入分別為15289.99萬元、19604.66萬元、30878.74萬元和32082.43萬元，同期實現(xiàn)歸母凈利潤分別為1297.43萬元、911.01萬元、2768.32萬元和5180.53萬元，整體呈增長趨勢。此外，東微半導還預計2021年度實現(xiàn)營業(yè)收入為77200萬元至80300萬元，同比增長150%至160%；預計2021年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為13200萬元至15300萬元，同比大增377%至453%。

 

《經(jīng)濟參考報》記者注意到，報告期內(nèi)，東微半導的主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級結(jié)MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET等。東微半導的產(chǎn)品廣泛應用于以新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務器電源和工業(yè)照明電源為代表的工業(yè)級應用領域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機快速充電器為代表的消費電子應用領域。此外，東微半導還不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，進一步開發(fā)了超級硅MOSFET、TGBT等新產(chǎn)品。

 

目前，東微半導產(chǎn)品的終端應用聚焦在工業(yè)級領域，同時也廣泛應用在消費級領域。公司已在前述領域積累了全球知名的品牌客戶群，并已成為部分行業(yè)領先客戶認證的國產(chǎn)供應商之一；在工業(yè)及汽車相關(guān)應用領域，東微半導積累了英飛源、英可瑞、特銳德等新能源汽車直流充電樁領域的終端用戶，華為、維諦技術(shù)、麥格米特等5G基站電源及通信電源領域的終端用戶，以及高斯寶、金升陽、雷能等工業(yè)電源領域的終端用戶；在消費電子領域，公司積累了大功率顯示電源領域的終端用戶如視源股份、美的、創(chuàng)維等。

 

根據(jù)市場研究機構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示，以2019年銷售額計，東微半導在全球MOSFET功率器件市場中位列中國本土廠商前十位。在產(chǎn)品性能方面，東微半導的主要產(chǎn)品GreenMOS系列產(chǎn)品通過自主器件設計和工藝優(yōu)化，成功解決了常規(guī)超級結(jié)MOSFET所存在的成品良率低、開關(guān)波形震蕩等技術(shù)問題，同時其性能也達到了國際先進水平。基于多年的技術(shù)積累、產(chǎn)業(yè)鏈深度結(jié)合能力以及優(yōu)秀的客戶服務能力，東微半導已成為國內(nèi)領先的高性能功率器件設計廠商。

 

研發(fā)投入持續(xù)增長 研發(fā)體系較為完善

 

持續(xù)不斷的研發(fā)投入，是東微半導業(yè)績穩(wěn)健增長的基石。報告期內(nèi)，東微半導所投入的研發(fā)費用分別為1603.83萬元、1202.58萬元、1599.36萬元和1650.12萬元，分別占當期營業(yè)收入的10.49%、6.13%、5.18%和5.14%，研發(fā)投入持續(xù)增長。同時，東微半導高度重視技術(shù)團隊的建設，已建立起了完善的研發(fā)團隊及體系。截至2021年6月30日，公司研發(fā)部共擁有31名研發(fā)人員，占員工總數(shù)的46%。

 

據(jù)招股書介紹，東微半導的核心技術(shù)人員均在功率半導體領域耕耘超過十年，具有豐富的研發(fā)經(jīng)驗，并對行業(yè)未來的技術(shù)發(fā)展趨勢具有前瞻性的創(chuàng)新能力。東微半導核心技術(shù)人員較強的研發(fā)能力，保證了公司的技術(shù)敏銳度和研發(fā)水平，確保了公司的產(chǎn)品迭代能夠緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，能夠滿足客戶終端產(chǎn)品的創(chuàng)新需求。

 

在技術(shù)水平方面，東微半導在高壓超級結(jié)技術(shù)領域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設計及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領先的專利技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標達到了與國際領先廠商媲美的水平。在中低壓領域，東微半導亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對準加工等核心技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標達到了國內(nèi)領先水平。

 

《經(jīng)濟參考報》記者發(fā)現(xiàn)，作為一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導體企業(yè)，東微半導在半導體功率器件領域擁有強大的自主研發(fā)能力并形成了多項專利。截至2021年6月30日，東微半導已獲授權(quán)的專利53項，包括38項境內(nèi)專利（其中發(fā)明專利37項、實用新型專利1項）和15項境外專利。2017年，東微半導還獲得蘇州市超級結(jié)功率器件工程技術(shù)研究中心的稱號。

 

東微半導表示，公司注重研發(fā)技術(shù)力量的培養(yǎng)和人才隊伍的建設。公司將根據(jù)市場需求，以引進人才和培養(yǎng)人才為基礎，進一步完善公司研發(fā)和技術(shù)力量建設體系，建立并完善技術(shù)創(chuàng)新體系，提升公司技術(shù)水平、生產(chǎn)經(jīng)營效率，提高服務客戶和開拓市場能力，使得人才隊伍建設、研發(fā)技術(shù)力量建設、經(jīng)營效率提高形成良性循環(huán)，最終實現(xiàn)業(yè)績的增長及公司發(fā)展規(guī)劃。

 

 

業(yè)內(nèi)人士認為，我國的功率半導體行業(yè)目前正經(jīng)歷快速發(fā)展階段。隨著我國消費電子、汽車電子、工業(yè)電子等多個行業(yè)的蓬勃發(fā)展以及智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等新興領域的興起，國內(nèi)對功率半導體產(chǎn)品的需求迅速擴大，推動了行業(yè)的快速發(fā)展。良好的前景吸引了諸多國內(nèi)企業(yè)進入這一領域，行業(yè)內(nèi)廠商則在鞏固自身優(yōu)勢基礎上積極進行市場拓展，市場競爭正在加劇。對于東微半導來說，這既是機遇又是挑戰(zhàn)。

 

此次上市，東微半導計劃募資93869.10萬元，分別用于超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)工程中心建設項目和科技與發(fā)展儲備資金。其中，科技與發(fā)展儲備資金擬投入45700萬元，占總募資金額的48.68%。東微半導計劃將款項分別用于補充流動資金和產(chǎn)業(yè)并購及整合。

 

東微半導表示，半導體行業(yè)發(fā)展變化日新月異，公司為緊跟行業(yè)變化趨勢，基于自身長期以來的設計與工藝技術(shù)積淀，持續(xù)依靠核心技術(shù)推出新型功率半導體產(chǎn)品，并積極布局高端功率半導體領域，力爭實現(xiàn)國產(chǎn)功率器件的自主可控。報告期內(nèi)，公司資金需求主要通過自身經(jīng)營積累滿足，隨著公司業(yè)務規(guī)模擴張，產(chǎn)品種類不斷豐富，公司預計將出現(xiàn)一定流動資金缺口；此外，伴隨業(yè)務發(fā)展，公司亦考慮通過投資并購方式整合行業(yè)優(yōu)質(zhì)標的，謀求產(chǎn)業(yè)資源的有效協(xié)同。

 

此外，東微半導計劃向超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目投入20414.58萬元，占總募投金額的21.75%。該項目基于東微半導深槽超級結(jié)技術(shù)以及屏蔽柵技術(shù)的豐富積累，對高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品的設計及工藝技術(shù)等方面進行改進和提升。其中，高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品升級具體包括8英寸第三代超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品及12英寸先進工藝超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品的設計及工藝技術(shù)提升；中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品升級具體包括第三代高速屏蔽柵中低壓MOSFET及高魯棒性中低壓MOSFET產(chǎn)品的設計工藝技術(shù)提升。

 

對于未來發(fā)展，東微半導表示，未來公司將持續(xù)專注于研發(fā)高效率、低損耗產(chǎn)品，實現(xiàn)國產(chǎn)功率器件的自主可控；深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，實現(xiàn)雙贏；探索資源整合的方式，加速產(chǎn)品能力提升，致力于成為國際領先的功率半導體廠商。