近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。
期間，由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協辦支持的“Mini/Micro-LED技術“分會如期舉行。
會上，復旦大學袁澤興做了題為“通過調整量子阱數量提高Micro-LED 的外量子效率”的主題報告，與LCD和OLED相比，GaN基Micro-LED顯示器具有低功耗、高亮度和卓越的可靠性等特點，被認為是下一代顯示技術。然而，Micro-LED 的低外量子效率 (EQE) 仍然是制造高效Micro-LED 顯示器的一個問題。已經有一些研究來解決這個問題，例如減少量子勢壘的厚度、使用選擇性過度生長技術和鈍化側壁缺陷，但該問題仍有待進一步解決。
研究提出了一種通過改變量子阱（QW）數量來提高Micro-LED的EQE的方法。在這項工作中，分別通過MOCVD生長了具有3、6 和10對不同量子阱 (QW) 數的綠色外延晶片。并基于這些外延片制作了直徑為80μm的綠色微型LED并進行了測量。
HR-XRD結果表明外延材料的質量隨著QW數的增加而逐漸提高。與EQE分別為1.1% 和1.73%的3對和6對QW相比，10對的EQE在1 A/cm2 時達到 7.4%。隨著QW數量的增加，峰值波長在1 A/cm2 處顯示藍移，隨著電流密度的增加，藍移逐漸減小。預計這項工作將提供一種方法來優化用于顯示技術的綠色微型LED的量子效率。
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