近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

 

期間，由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協辦支持的“Mini/Micro-LED技術“分會如期舉行。

GaN材料在光電、電力電子、可見光通信、生物醫學、雷達等領域具有巨大的應用潛力。會上，南京大學電子科學與工程學院許非凡做了題為“GaN基Micro-LED光源的高速可見光通信研究”的主題報告，從不同QW厚度的C面Micro-LED、基于半極性Micro-LED的VLC、納米結構Micro-LED的特性等角度具體分享了最新研究進展。

 

研究結果顯示，超薄QW有源區加速了載流子的復合，實現了1.01 GHz 的最大調制帶寬。半極性VLC Micro-LED 在VLC上具有超低功耗。具有納米結構的Micro-LED可以提高發光并實現更高的調制帶寬。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）