近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、佛山市國(guó)星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED技術(shù)“分會(huì)如期舉行。會(huì)上，臺(tái)灣陽(yáng)明交通大學(xué)特聘教授郭浩中做了題為”用于顯示器和可見(jiàn)光通訊的靈活全彩Micro-LED“的視頻主題報(bào)告，分享了嵌入量子點(diǎn)的高均勻性和高效率納米多孔氮化鎵用于顏色轉(zhuǎn)換Micro-LED顯示器、具有VLC應(yīng)用潛力的高穩(wěn)定性全彩顯示設(shè)備、高速綠色半極性μLED陣列等方面的最新研究進(jìn)展與成果。
研究顯示，納米多孔GaN Micro-LED陣列需要3μm的厚度才能實(shí)現(xiàn)高色彩轉(zhuǎn)換，展示了發(fā)散角小、成本低的優(yōu)勢(shì)；通過(guò)微型噴墨打印技術(shù)將量子點(diǎn)加載到納米孔中，以實(shí)現(xiàn)全彩色顯示應(yīng)用；綠色和紅色NPQD Micro-LED由于光程長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)了90.3%和96.1%的高光轉(zhuǎn)換效率，增加了激發(fā)QD的機(jī)會(huì)；NP-GaN中綠色和紅色QD的高照度均勻度分別為90.7%和91.2%，并實(shí)現(xiàn)了97.3% NTSC和89.2% Rec.2020的寬色域。半極性μLED顯示開啟電壓為3.6V，波長(zhǎng)偏移為 2.7nm，效率下降69%@7076.4A/cm2，光譜FWHM穩(wěn)定。
PNC-μLED器件顯示出顯著的色彩穩(wěn)定性和寬色域特性，由半極性μLED和PNC組裝而成的RGB像素達(dá)到了NTSC的127.23% 和Rec.2020 的95.00%。通過(guò)引入芯片結(jié)構(gòu)優(yōu)化和ALD鈍化，該器件顯示了655 MHz的最高3-dB帶寬，峰值波長(zhǎng)為451 nm@7076.4A/cm2。
半極性 μLED陣列在寬工作范圍內(nèi)顯示2.5V 的開啟電壓、10.2nm的波長(zhǎng)偏移和 9.48nm的光譜FWHM。0.33比率的良好極化特性有利于VLC應(yīng)用，通過(guò)引入優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)和ALD鈍化，器件顯示了1125MHz@2.5kA/cm2的最高3-dB 帶寬。對(duì)于NRZ-OOK格式和位加載離散多音 (BL-DMT)QAM-OFDM，22個(gè)綠色μ-LED陣列實(shí)現(xiàn)了超過(guò)1.5Gbit/s和5.5Gbit/s的最大數(shù)據(jù)速率。
嘉賓簡(jiǎn)介
郭浩中教授，師承紅光LED之父Nick Holonyak院士及Gregory Stillman院士，專長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體鐳射、III-V族第三代化合物半導(dǎo)體元件開發(fā)與應(yīng)用，在光電領(lǐng)域擁有超過(guò)20年的研究資歷，在ACS Nano、ACS Nano Lett.、Advanced Materials、Optics Express, APL, IEEE PTL等國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊發(fā)表累積發(fā)表超過(guò)500篇國(guó)際期刊及300篇國(guó)際研討會(huì)論文，論文引用總數(shù)達(dá)16738次，H-index指數(shù)58，獲得國(guó)內(nèi)外專利37件、專書4本。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
