近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。期間，由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協辦支持的“Mini/Micro-LED技術產業應用論壇“上，俄羅斯STR軟件集團付昊做了題為“Mini/Micro-LED 芯片設計的縮放和優化”的主題報告，詳細分享了LED尺寸縮放、表面復合、用于提高光提取效率和控制發射模式的 μ-LED 芯片的成型，模擬最先進的紅色 AlGaInP LED 以了解限制發射效率的主要因素等內容。
報告指出，微型和微型LED技術的發展需要現在有效且工程上采用的仿真工具來優化 μ-LED 結構和芯片設計。只有耦合的電-熱-光3D建模才能充分模擬μ-LED中發生的復雜過程。表面復合是影響m-和μ-LED工作的最重要因素之一；實際上，它決定了 LED 尺寸縮放的主要趨勢，包括EQE行為和設備自熱。與III族氮化物相比，III族磷化物μ-LED中表面復合對發射效率的負面影響要強得多。由于成型的LED芯片而使用嵌入式微反射器是一種非常有前途的方法，可以增強μ-LED的光提取并控制其發射模式
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