近日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。

期間，“SSLCHINA 2021：半導體照明芯片、封裝、模組及可靠性”分論壇由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、旭宇光電（深圳）股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江蘇博睿光電有限公司聯合協辦支持。會上，福州大學孫捷教授現場分享了“低維納米材料在GaN LED芯片上的應用”主題報告。

 

GaN上直接生長石墨烯應用于LED散熱透明電極。孫捷教授在報告中展示了，2寸氮化鎵外延晶圓生長石墨烯前后的表面AFM照片。并通過數據分析顯示生長石墨烯后，樣品表面粗糙度僅為0.604 nm。分析了氮化鎵上直接PECVD生長石墨烯的拉曼光譜圖發現，單次掃描譜線，2700 cm-2的2D峰很明顯，分析特征峰比率的二維分布圖，顯示了材料的高度均勻性。并觀察二寸GaN LED晶圓上制備的石墨烯LED器件之工藝實拍照片，可見，器件已完全實現陣列化，工藝重復性好，實現了項目最初的出發點，突破原理性器件，使實用化成為可能。

 

同時，報告還介紹了關于CVD生長二維半導體存在的大面積高質量生長（含摻雜、異質結）和二維晶體與氮化鎵基半導體集成技術難題。以及通過納米孔中的非輻射能量轉移提高 μ-LED 的 QD 顏色轉換效率等研究進展。