通過在ZnSe核上生長ZnS薄殼來合成藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)。所制備的ZnSe/ZnS核/殼量子點(diǎn)的具有較高的量子產(chǎn)率。用這些高質(zhì)量量子點(diǎn)制作的LED顯示外部量子效率高達(dá)12.2%。藍(lán)色發(fā)光的無重金屬量子點(diǎn)同時表現(xiàn)出接近單位的光致發(fā)光量子產(chǎn)率和窄的發(fā)射線寬,對于下一代電致發(fā)光顯示器來說是必不可少的,然而它們的合成是極具挑戰(zhàn)性的。
膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)(QD)具有特殊的光學(xué)特性,包括尺寸可調(diào)性和窄發(fā)射。通過在核上生長外延殼形成核/殼量子點(diǎn),熒光強(qiáng)度和光穩(wěn)定性大大增強(qiáng),這使得它們成功地應(yīng)用于商業(yè)液晶顯示器(LCD)中的發(fā)光生物探針和增色背光源層。作為下一代顯示技術(shù)的代表,基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管(QLED)因其寬色域、高亮度和低生產(chǎn)成本而備受關(guān)注。作為發(fā)射材料,量子點(diǎn)的性能是獲得高性能QLED的核心,QLED具有優(yōu)異的效率和亮度。它要求量子點(diǎn)同時表現(xiàn)出窄發(fā)射光譜,半峰全寬(fwhm)接近其固有的色飽和峰寬,近單位光致發(fā)光(PL)量子產(chǎn)率(QY),當(dāng)量子點(diǎn)帶電時,抑制非輻射俄歇復(fù)合,并適當(dāng)增大量子點(diǎn)尺寸,以最小化緊密堆積的量子點(diǎn)薄膜中的FRET。此外,量子點(diǎn)和相鄰電荷傳輸層之間的殼層厚度和能級排列需要適當(dāng)設(shè)計,以平衡電荷注入。在過去的十年中,在高效、高亮度和高穩(wěn)定性的電致發(fā)光QLED的制備方面取得了重大進(jìn)展。
在此,來自河南大學(xué)的研究人員通過在尺寸大于體玻爾直徑的ZnSe核上生長ZnS薄殼來合成藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)。ZnSe核的尺寸使得發(fā)射位于藍(lán)色區(qū)域,發(fā)射寬度接近其固有峰值寬度。所制備的塊材ZnSe/ZnS核/殼量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率高達(dá)95%,發(fā)射寬度極窄約為9.6納米。此外,ZnSe核的尺寸減小了QDs和LED中相鄰層之間的能級差異,并改善了電荷傳輸。用這些高質(zhì)量量子點(diǎn)制作的LED顯示出明亮的純藍(lán)色發(fā)射,外部量子效率為12.2%,工作壽命相對較長。相關(guān)論文以題目為“Bulk-like ZnSe Quantum Dots Enabling Efficient Ultranarrow Blue Light-Emitting Diodes”發(fā)表在Nano Letters期刊上。
論文鏈接:
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.1c02284

膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)(QD)具有特殊的光學(xué)特性,包括尺寸可調(diào)性和窄發(fā)射。通過在核上生長外延殼形成核/殼量子點(diǎn),熒光強(qiáng)度和光穩(wěn)定性大大增強(qiáng),這使得它們成功地應(yīng)用于商業(yè)液晶顯示器(LCD)中的發(fā)光生物探針和增色背光源層。作為下一代顯示技術(shù)的代表,基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管(QLED)因其寬色域、高亮度和低生產(chǎn)成本而備受關(guān)注。作為發(fā)射材料,量子點(diǎn)的性能是獲得高性能QLED的核心,QLED具有優(yōu)異的效率和亮度。它要求量子點(diǎn)同時表現(xiàn)出窄發(fā)射光譜,半峰全寬(fwhm)接近其固有的色飽和峰寬,近單位光致發(fā)光(PL)量子產(chǎn)率(QY),當(dāng)量子點(diǎn)帶電時,抑制非輻射俄歇復(fù)合,并適當(dāng)增大量子點(diǎn)尺寸,以最小化緊密堆積的量子點(diǎn)薄膜中的FRET。此外,量子點(diǎn)和相鄰電荷傳輸層之間的殼層厚度和能級排列需要適當(dāng)設(shè)計,以平衡電荷注入。在過去的十年中,在高效、高亮度和高穩(wěn)定性的電致發(fā)光QLED的制備方面取得了重大進(jìn)展。
基于Cd硫族化合物的紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)射QLEDs器件顯示出超過或接近20%的高外部量子效率(EQE),具有高的電致發(fā)光色純度(EL)和足夠長的工作壽命,適用于低亮度應(yīng)用。然而,由于鎘的毒性,法規(guī)嚴(yán)格限制了鎘在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的使用。隨著對更環(huán)保的顯示技術(shù)需求的增加,迫切需要具有無重金屬量子點(diǎn)的高性能QLED。最近,通過改進(jìn)InP量子點(diǎn)的合成和LED器件的優(yōu)化結(jié)構(gòu),InP基QLED的綠色發(fā)射EQE為13.6%,紅色發(fā)射EQE為21.4%。同時,藍(lán)色發(fā)光QLED的性能仍明顯落后,顯示出有限的運(yùn)行壽命和低于10%的EQE。(文:愛新覺羅星)

圖1。(a)兩種ZnSe/ZnS核/殼量子點(diǎn)的受控合成示意圖。(b)紫外光照射下T-QD和b-QD色散的光學(xué)圖像。(c)一種典型的B-QD合成中吸收光譜。(d,e)T-QD(d)和B-QD(e)的系綜(青色)和單個QDPL光譜(橙色)的光譜相關(guān)性。(f,g)T-QDs(f)和B-QDs(g)溶液(青色)中的時間分辨PL衰減與玻璃(橙色)上薄膜的變化。

圖2。(a)TEM圖像。(b)HRTEM圖像。(c) ZnSe核和相應(yīng)的ZnSe/ZnS核/殼量子點(diǎn)的XRD圖譜。(d) B-QD的HAADF的STEM圖。(e)h)陣列中硒、鋅、鋅/硒和硫/鋅的對應(yīng)圖。

圖3。(a) 計算了ZnSe量子點(diǎn)的HOMO態(tài)和氧誘導(dǎo)陷阱態(tài)的能級演化隨ZnSe量子點(diǎn)直徑的變化。(b)瞬態(tài)TA光譜的比較。

圖4。ZnSe/ZnS量子點(diǎn)基QLED的性能。