2021年11月8日，以“芯動力 新征程——寬禁帶半導(dǎo)體的機遇與挑戰(zhàn)”為主題的第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議在廈門盛大開幕。

開幕大會

中國科學(xué)院院士、國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍，大會主席、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲，大會主席、廈門大學(xué)校長張榮教授，集美大學(xué)黨委書記沈燦煌，廈門市科技局局長孔曙光，中國有色金屬學(xué)會寬禁帶專業(yè)委員會常務(wù)副主任、北大東莞光電研究院常務(wù)副院長、北京大學(xué)教授張國義，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員李晉閩，北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波教授，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長徐科研究員，國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長、廈門大學(xué)講座教授邱宇峰，東北師范大學(xué)副校長徐海陽教授，三安光電股份有限公司總經(jīng)理林科闖，廈門光莆電子股份有限公司董事長林瑞梅，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山等一大批國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域業(yè)界資深專家、教授和優(yōu)秀中青年學(xué)者、以及產(chǎn)業(yè)界科研技術(shù)人員、機構(gòu)嘉賓、院校師生、企業(yè)家代表等參與本次學(xué)術(shù)盛會。大會開幕式由廈門大學(xué)康俊勇教授主持。

大會現(xiàn)場

近年來，寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。本屆會議由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)聯(lián)合主辦，廈門大學(xué)、南京大學(xué)承辦，福建省半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心、福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點實驗室、廈門市未來顯示技術(shù)研究院、廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院、微納光電子材料與器件教育部工程研究中心、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司全力協(xié)辦。

廈門大學(xué)康俊勇教授主持開幕式環(huán)節(jié)

其中，中科潞安、亞格盛電子、中微公司、先普、奧趨光電、Crystal、昂坤視覺、南大光電、Novel Crystal、中鎵半導(dǎo)體、金竟科技、力冠微電子裝備、良允科技、化合積電、志橙半導(dǎo)體、南京伯奢詠懷、上海翱晶、卓立漢光、納維科技、尚勤光電、邁塔光電、中電化合物、恒普真空、鎵特半導(dǎo)體、中紫半導(dǎo)體、泰克科技、鵬城半導(dǎo)體、鴻陽科技、JAPAN CREATE、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、元旭半導(dǎo)體等材料國內(nèi)外知名廠商參加此次會議。會議圍繞“芯動力 新征程——寬禁帶半導(dǎo)體的機遇與挑戰(zhàn)”這一主題開展廣泛交流，交流寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展動態(tài)，促進相互合作。

廈門大學(xué)校長張榮教授，中科院院士、國家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍，中國有色金屬學(xué)會寬禁帶專業(yè)委員會常務(wù)副主任、北大東莞光電研究院常務(wù)副院長、北京大學(xué)教授張國義，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲，廈門科技局孔曙光局長先后為大會致開幕詞。因新冠肺炎疫情阻隔，諾貝爾物理學(xué)獎獲得者天野浩（Hiroshi Amano）教授通過視頻方式為本屆會議致辭。

廈門大學(xué)校長張榮教授

張榮校長致辭時表示，廈門大學(xué)是國內(nèi)最早創(chuàng)辦半導(dǎo)體學(xué)科的高校之一，廈門大學(xué)半導(dǎo)體研究和廈門半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展共同進步，在政府和產(chǎn)業(yè)的支持下不斷取得新進展，利用地緣優(yōu)勢，廈門大學(xué)與當(dāng)?shù)氐娜补怆?、光莆電子、乾照光電等企業(yè)聯(lián)合攻關(guān)，重點開展關(guān)于基于寬禁帶半導(dǎo)體的固態(tài)照明光源、深紫外消殺技術(shù)等方面的交流合作，推動寬禁帶半導(dǎo)體的技術(shù)轉(zhuǎn)化和創(chuàng)新。今年是國家“十四五”的開局之年，站在新起點，新征程上，如何邁好我國寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展的步伐至關(guān)重要，面對當(dāng)前的科技博弈，科技的自立自強，是應(yīng)對風(fēng)險挑戰(zhàn)的必然選擇。

中科院院士、國家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍

郝躍院士致辭時表示，寬禁帶半導(dǎo)體被列為國家“十四五”發(fā)展規(guī)劃中，國家自然科學(xué)基金委非常關(guān)注寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，希望從基礎(chǔ)研究的角度不斷推進寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，先從重大項目群開始，成熟后考慮再推進重大研究計劃，推進寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究的關(guān)鍵和核心技術(shù)的突破，利用這次機會，希望廣大業(yè)界同仁可以探討寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，以及如何利用好機遇，不斷推進產(chǎn)業(yè)的進步和發(fā)展。

中國有色金屬學(xué)會寬禁帶專業(yè)委員會常務(wù)副主任、北大東莞光電研究院常務(wù)副院長、北京大學(xué)教授張國義

張國義教授致辭時表示，以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展是國際熱點，在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域已經(jīng)形成規(guī)?；漠a(chǎn)業(yè)，在功率器件和射頻器件方面不斷深入發(fā)展，氮化鎵、金剛石等為代表的新材料半導(dǎo)體迅速發(fā)展，一些新的材料正在擴展，寬禁帶半導(dǎo)體未來會越來越寬廣。會議對于促進交流，協(xié)同創(chuàng)新起到了積極的作用，也得到高度認可，影響力日益增大，希望大家通過此次會議廣泛的討論交流，發(fā)現(xiàn)合作機會，實現(xiàn)優(yōu)勢互補，助力我國搶占寬禁帶半導(dǎo)體國際戰(zhàn)略制高點，推動科學(xué)技術(shù)發(fā)展進步。

諾貝爾物理學(xué)獎獲得者天野浩（Hiroshi Amano）教授

Amano教授視頻致辭時表示，寬禁帶半導(dǎo)體在解決全球性的問題上，正變得越來越重要，比如硅基功率器件面臨的不足，可以利用寬禁帶半導(dǎo)體來解決，基于寬禁帶半導(dǎo)體的高頻晶體管能夠為5G甚至是5G之后的無線通信系統(tǒng)提供支持，此外，還可以用于抑制新型冠狀肺炎傳播的深紫外消毒器制備。深信會議能圓滿成功，所有與會者都能享受到精彩的演講和熱烈的討論，并啟迪下一步的創(chuàng)新和研發(fā)。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲

吳玲理事長致辭時表示，從國際形勢來看，我們面臨非常嚴(yán)峻的發(fā)展環(huán)境，半導(dǎo)體在科技創(chuàng)新，產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面到了一個很關(guān)鍵的時期，寬禁帶半導(dǎo)體不僅僅在支撐雙碳實現(xiàn)，支撐數(shù)字化，智能化以及產(chǎn)業(yè)提升等方面具有非常重要的作用，而且如果能和我國巨大的能源，交通，信息，智能制造巨大市場需求相結(jié)合，有可能形成在全球的技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)制衡，重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。第三代半導(dǎo)體的發(fā)展對業(yè)界同仁也是千載難逢的機遇，希望大家利用好這次會議的平臺充分交流討論，推動政產(chǎn)學(xué)研深度融合，以及學(xué)科的交叉融合發(fā)展，也希望廈門利用好這次機會，如同推動半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣，再次做出表率。

廈門科技局孔曙光局長

孔曙光局長致辭時表示，寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展速度非?？?，廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)好，發(fā)展速度快，經(jīng)過多年的發(fā)展，在光電領(lǐng)域已經(jīng)有很好的積累，在發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體中具有優(yōu)勢。2019年廈門就啟動了未來產(chǎn)業(yè)培育工程，進行搶先布局，第三代半導(dǎo)體是其中之一，力爭2025年實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)的產(chǎn)值能達到200億元以上，目前也形成了碳化硅和氮化鎵兩條產(chǎn)業(yè)鏈，廈門也積極推動布局，增大原始創(chuàng)新能力，希望大家共同努力，共創(chuàng)美好明天。

廈門大學(xué)校長張榮教授主持報告環(huán)節(jié)

隨后的主題報告環(huán)節(jié)，廈門大學(xué)校長張榮、郝躍院士共同主持。

中科院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授分享大會報告

中科院院士、國家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來了“寬禁帶半導(dǎo)體電子器件新進展”的主題報告；三安光電股份有限公司林科闖總經(jīng)理帶來了“大功率GaN藍綠激光器芯片設(shè)計、生長和制作 ”的主題報告；廈門大學(xué)校長張榮教授介紹了基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用；中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來了“紫外LED研發(fā)及應(yīng)用進展”的主題報告；廈門大學(xué)講座教授邱宇峰分享了18 kV SiC IGBT的研制；TKK創(chuàng)新實驗室教授Yogi Ota分享了寬帶隙半導(dǎo)體、研發(fā)歷史和實踐。幾大精彩主題報告，從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)，趨勢的角度，廣度與深度結(jié)合，高屋建瓴，酣暢淋漓，帶來一場知識與認知的激蕩。

郝躍院士在報告中指出：“如今從世界范圍來看，寬禁帶半導(dǎo)體越來越得到重視，以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體開始進入發(fā)展成熟期，已經(jīng)從研究階段逐步向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，其中寬禁帶半導(dǎo)體商用化程度越來越高，包括氮化鎵、碳化硅等，而超寬禁帶半導(dǎo)體包括金剛石、氧化鎵和氮化鋁等研究也有了進展。”同時在報告中也詳細分享高頻與超高頻電子器件，毫米波GaN SBD、高線性GaN半導(dǎo)體器件，低電壓GaN半導(dǎo)體器件-5G/6G射頻終端器件，Si基GaN—高阻低損耗低翹曲外延與器件技術(shù)，超臨界流體提高4H-SiC MOSFET器件性能等最新進展以及相關(guān)成果。

三安光電股份有限公司林科闖總經(jīng)理分享大會報告

氮化鎵基激光器將半導(dǎo)體激光器的波長拓展到藍、綠光波段，帶動大色域激光顯示、高亮度激光照明等領(lǐng)域的技術(shù)革新，并正興起為激光加工銅、金等金屬的最好光源。在投影顯示,激光加工,激光照明,存儲等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景與廣泛的市場需求。三安光電股份有限公司林科闖總經(jīng)理在報告中，結(jié)合相關(guān)研究分享了大功率GaN藍綠激光器芯片設(shè)計、生長和制作以及三安光電最新的研發(fā)成果以及發(fā)展路線圖，涉及大功率GaN藍光激光器特征，GaN綠激光器界面改進等。

中科院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍院士主持報告環(huán)節(jié)

廈門大學(xué)校長張榮教授分享大會報告

量子結(jié)構(gòu)材料與器件是近年來光電信息功能材料與器件研制的前沿，廈門大學(xué)校長張榮教授在報告中，詳細分享了基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用的最新進展以及研究成果，涉及到半導(dǎo)體帶隙工程、態(tài)密度工程與元激發(fā)工程，利用帶隙工程提升器件光電性能，利用態(tài)密度工程改善光發(fā)射性能，基于元激發(fā)工程的新型發(fā)光器件等。報告指出，利用帶隙工程提升器件光電性能，固溶體技術(shù)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及極化誘導(dǎo)的能帶剪裁，支撐了高效率RGB發(fā)光二極管，高響應(yīng)度雪崩倍增探測器件的發(fā)展。利用態(tài)密度工程改善光發(fā)射性能，從三維、二維到一維乃至零維的態(tài)密度工程，實現(xiàn)載流子的多種光電性質(zhì)調(diào)控，包括偏振、載流子輸運，調(diào)制帶寬，發(fā)散角，自旋和Droop效應(yīng)等。基于元激發(fā)工程的新型發(fā)光器件，基于量子限制結(jié)構(gòu)和金屬等高激元的元激發(fā)調(diào)控形成了多粒子耦合的準(zhǔn)粒子，提升了寬帶隙材料的自發(fā)輻射率，實現(xiàn)了低閾值激光和偏振調(diào)控。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員分享大會報告

隨著紫外光固化技術(shù)日臻成熟，其在固化領(lǐng)域的應(yīng)用份額在逐年上升。新冠疫情加速了紫外殺菌消毒市場培育，對深紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到了極大的推動作用，吸引更多的企業(yè)投資深紫外LED產(chǎn)業(yè)。在生物醫(yī)療、防偽鑒定、凈化領(lǐng)域、計算機數(shù)據(jù)存儲和軍事領(lǐng)域，紫外LED技術(shù)不斷取得突破，新的應(yīng)用替代也在不斷發(fā)生。尚處于技術(shù)發(fā)展期的紫外LED技術(shù)已呈現(xiàn)出廣闊的市場應(yīng)用前景，有望繼通用照明之后，成為半導(dǎo)體光電領(lǐng)域又一具有巨大市場前景的新興產(chǎn)業(yè)。李晉閩研究員在報告中全面分享了紫外LED技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢，紫外LED應(yīng)用示范與產(chǎn)業(yè)機遇。他表示，氮化物深紫外LED作為下一代紫外光源，具有廣闊的應(yīng)用前景，紫外LED應(yīng)用市場正面臨快速增長的良好機遇，及早部署，把握先機，方可有望成為未來的市場領(lǐng)導(dǎo)者。深紫外LED產(chǎn)業(yè)面臨著從裝備、外延、芯片到封裝中的一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，其中尤其以裝備和外延最為核心，開發(fā)出高性能的深紫外MOCVD裝備是突破 深紫外LED產(chǎn)業(yè)瓶頸的關(guān)鍵。

廈門大學(xué)講座教授邱宇峰分享大會報告

大功率電力電子器件是推動電網(wǎng)向柔性半導(dǎo)體化方向發(fā)展的電力電子裝備的核心，碳化硅電力電子器件已經(jīng)成為國內(nèi)外研究和產(chǎn)業(yè)化熱點，電力電子裝備技術(shù)隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展而逐代演進。功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展是推動力電網(wǎng)電力電子裝備演進關(guān)鍵因素。碳化硅器件具有高結(jié)溫、高電壓、高頻的特點，非常適合電網(wǎng)應(yīng)用，其廣泛應(yīng)用將推動電網(wǎng)的電力電子化進程。高壓大功率碳化硅器件研制仍需突破電流密度、大尺寸襯底外延、低寄生參數(shù)封裝，成品率等問題。邱宇峰教授在報告中分享了能源轉(zhuǎn)型背景下電網(wǎng)形態(tài)的演進，硅基器件制約電網(wǎng)柔性半導(dǎo)體化進程，高壓SiC IGBT面臨的襯底質(zhì)量、外延生長、芯片設(shè)計、芯片工藝以及芯片解決方案、器件解決方案，封裝解決方案等。他表示，新能源為主題的新型電力系統(tǒng)，要求電力電子裝備在電力系統(tǒng)各個層面起到?jīng)Q定性支撐作用。硅器件性能參數(shù)已經(jīng)接近極限，碳化硅器件的應(yīng)用將大大推動電網(wǎng)柔性化、電力電子化進程。

KK創(chuàng)新實驗室Yogi Ota教授遠程云視頻報告

因為疫情阻隔，KK創(chuàng)新實驗室Yogi Ota教授通過遠程云視頻報告，分享了寬帶隙半導(dǎo)體、研發(fā)歷史和實踐等內(nèi)容，從不同角度分享了最新進展，包括射頻功率的材料比較、電力應(yīng)用熱模擬等。

除了精彩的開幕式報告，大會還同期設(shè)置了“材料生長與表征”、“光電子器件及應(yīng)用”、“電力電子器件及應(yīng)用”、“新型寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用”和青年論壇五場同期分會，并有POSTER交流和企業(yè)展覽展示。前沿研究內(nèi)容分享交相輝映，讓與會的嘉賓和青年科研代表享受到寬禁帶技術(shù)“科研盛宴”。更多精彩，請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)：http://www.casmita.com/news/

分會場之一

展示交流

POSTER交流

POSTER交流