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國星光電:前三季度凈利1.78億元同比增長129.59%,取得4項發(fā)明專利證書

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-11-01 來源:LEDinside瀏覽次數(shù):243
10月30日,國星光電連發(fā)公告,公布了2021年第三季度報告,同時宣布公司取得4項發(fā)明專利證書。
 
第三季度凈利潤同比增長491.45%
 
國星光電第三季度實現(xiàn)營業(yè)收入11.18億元,同比增長39.89%;歸屬于上市公司股東凈利潤為8600.32萬元,同比增長491.45%。
 
累計前三季度實現(xiàn)營業(yè)收入為28.48億元,同比增長24.18%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.78億元,同比增長129.59%。
 
國星 1

國星光電表示,前三季度凈利潤同比增長129.59%,主要是公司產(chǎn)品訂單量較去年同期取得明顯增長,以及調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu),增加高附加值產(chǎn)品影響所致。
 
報告期內(nèi),國星光電持續(xù)耕耘Mini/Micro LED、紫外LED、第三代半導體等業(yè)務,并取得重要進展。
 
MiniLED方面,國星光電已開發(fā)了覆蓋P0.9-P0.4的全系列MiniLED直顯產(chǎn)品,目前MiniLED直顯產(chǎn)品實現(xiàn)滿產(chǎn)滿銷;而MiniLED背光產(chǎn)品已儲備Mini POB、Mini COB兩大技術(shù)路線,并與多家終端廠商建立戰(zhàn)略合作關(guān)系,目前產(chǎn)品批量出貨,產(chǎn)能正在持續(xù)擴充。
 
Micro LED方面,國星光電開發(fā)出高一致性像素化量子點色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術(shù),可將巨量轉(zhuǎn)移次數(shù)減少三分之二,有效解決Micro LED紅光芯片良率低、光效低、巨量轉(zhuǎn)移難度高的技術(shù)痛點,進一步提高良率、減少修復、降低成本。
 
紫外LED方面,國星光電在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,國星半導體已形成365nm/395nm/410nm三個新系列芯片產(chǎn)品,可用于紫外固化,光觸媒、健康照明以及全光譜等全新應用領(lǐng)域。同時國星半導體是國內(nèi)為數(shù)不多可以量產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的企業(yè)。
 
第三代半導體方面,國星光電在調(diào)研活動中透露,近期推出3大系列第三代半導體新產(chǎn)品,包括SiC功率器件、功率模塊和GaN-DFN器件。目前公司已完成三代半功率器件實驗室及功率器件試產(chǎn)線的建立工作,計劃2021年底實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。
 
取得4項發(fā)明專利證書
 
國星光電宣布,公司于近日收到4項發(fā)明專利證書,其中包括中國國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的發(fā)明專利證書3項、美國發(fā)明專利證書1項。
 
國星 2

公告顯示,第一項發(fā)明專利名稱為“照明設備”,專利號為ZL201811368164.4;第二項發(fā)明專利名稱為“LED器件、背光模組和顯示裝置”,專利號為ZL201910578865.9;第三項發(fā)明專利名稱為“一種全彩化LED封裝器件和顯示模組”,專利號為ZL201910588622.3;第三項發(fā)明專利名稱為“LED器件、背光模組和顯示裝置”,專利號為11016340。
 
國星光電表示,以上專利的取得有助于發(fā)揮公司自主知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢,豐富公司先進技術(shù)儲備,促進技術(shù)創(chuàng)新推動產(chǎn)品優(yōu)化升級,提高公司的綜合競爭能力,對公司的生產(chǎn)經(jīng)營有積極影響。
 
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