10 月 30 日消息，據(jù)中國科學院官網(wǎng)，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究人員與華東師范大學研究員袁清紅團隊等在新型碳基二維半導體材料研究中獲進展。
以石墨烯為代表的碳基二維材料自發(fā)現(xiàn)以來受到了廣泛關注。不過，石墨烯的零帶隙半導體性質(zhì)嚴重限制了其在微電子器件領域的應用。
研究人員通過近 5 年努力，借助實驗技術與理論研究，在雙層 C3N 的帶隙性質(zhì)、輸運性質(zhì)等研究領域取得突破，進一步證明雙層 C3N 在納米電子學等領域的重要應用潛力。
據(jù)介紹，該工作證明了通過控制堆垛方式實現(xiàn)雙層 C3N 從半導體到金屬性轉(zhuǎn)變的可行性。更重要的是，研究還發(fā)現(xiàn)通過施加外部電場可實現(xiàn) AB' 堆垛雙層 C3N 帶隙的調(diào)制。
報道稱，該工作是 C3N 材料實驗與理論研究的重要突破，為進一步構建新型全碳微電子器件提供了支撐。相關工作得到國家自然科學基金、上海微系統(tǒng)所新微之星項目等的支持。
