10月9日消息，據國外媒體報道，在近日舉辦的晶圓代工論壇上，三星電子宣布，將從2025年開始量產2nm芯片。
這一聲明表明，三星電子將繼續開發尖端制造技術，與其競爭對手英特爾和臺積電展開競爭。
報道稱，三星電子的2nm制程量產計劃比臺積電和英特爾晚了1年左右。但是，臺積電和英特爾計劃在2nm制程中首次引入GAA，因此三星電子在技術穩定性和良品率方面具有優勢。
今年6月底，三星宣布，其3nm制程技術已經正式流片。據悉，該公司的3nm制程采用的是GAA架構，性能優于臺積電的3nm FinFET架構。但是，三星當時并沒有透露3nm GAA工藝何時量產。
在近日舉辦的晶圓代工論壇上，三星表示，計劃從2022年上半年開始生產客戶設計的3nm芯片，第二代3nm芯片預計將在2023年生產。
