10月9日消息，據(jù)國外媒體報道，在近日舉辦的晶圓代工論壇上，三星電子宣布，將從2025年開始量產(chǎn)2nm芯片。
這一聲明表明，三星電子將繼續(xù)開發(fā)尖端制造技術(shù)，與其競爭對手英特爾和臺積電展開競爭。
報道稱，三星電子的2nm制程量產(chǎn)計劃比臺積電和英特爾晚了1年左右。但是，臺積電和英特爾計劃在2nm制程中首次引入GAA，因此三星電子在技術(shù)穩(wěn)定性和良品率方面具有優(yōu)勢。
今年6月底，三星宣布，其3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據(jù)悉，該公司的3nm制程采用的是GAA架構(gòu)，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構(gòu)。但是，三星當(dāng)時并沒有透露3nm GAA工藝何時量產(chǎn)。
在近日舉辦的晶圓代工論壇上，三星表示，計劃從2022年上半年開始生產(chǎn)客戶設(shè)計的3nm芯片，第二代3nm芯片預(yù)計將在2023年生產(chǎn)。
