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中科院半導體所研究人員:一種可實現高效穩定的藍色LED的方法

放大字體  縮小字體 發布日期:2021-05-18 來源:材料科學與工程瀏覽次數:413
鈣鈦礦型發光二極管(PeLED)近年來有了長足的發展,在綠色和紅色區域的電致發光的外量子效率(EQE)已經超過了20%,但在藍色區域的效率卻遠遠落后。
 
來自中國科學院半導體所、中國科學院大學等單位的研究人員在PEA2(CsPbBr3)2PbBr4鈣鈦礦中加入大陽離子CH3CH2NH2+,降低了Pb-Br軌道耦合,增加了藍光發射的帶隙。X-射線衍射和核磁共振結果證實,EA已成功取代Cs+,形成了PEA2(Cs(1-x)EaxPbBr3)2PbBr4。該方法將綠光區域(508 nm)的光致發光調制到藍光(466 nm),為鈣鈦礦的全彩顯示鋪平了道路。相關論文以題目為‘Large cation ethylammonium incorporated perovskite for efficient and spectra stableblue light-emitting diodes’發表在Nature Communications期刊上。
 
論文鏈接:
 
https://doi.org/10.1038/s41467-020-17943-6
 
中科院半導體所 1
 
鉛鹵化物鈣鈦礦由于其獨特的發光特性,顯示出很高的顯示潛力,近年來鈣鈦礦型電致發光器件的電致發光研究取得了重大進展。紅光和綠光發射的外量子效率(EQE)已經提高到20%11-13,而藍光發射的效率仍然落后,這是因為在薄膜中很難合成穩定的材料和保持高的量子效率。已經做了幾次嘗試來實現毛皮的藍色發射。最簡單的方法是將氯加入溴基鈣鈦礦中以調節帶隙,Yip等人最近實現了Br–Cl鹵化物混合鈣鈦礦的5.7%藍色EQE。然而,這些Br–Cl混合鈣鈦礦在光照下或電位下都會出現不可避免的相分離,在外加電壓下由于鹵化物的遷移而導致峰移或多峰。第二種方法是通過摻雜金屬離子如Zn2+、Cu2+、Mn2+、Al3+到鉛位來調制導帶。而金屬元素引起的雜質被認為是有利于非輻射復合的關鍵因素之一。
 
到目前為止,獲得藍色毛皮的有效嘗試是通過減少不同大陽離子的維(準2D和0D)鈣鈦礦來生成量子阱結構。例如,Sargent等人使用較短的異丙胺(IPA)分子來取代長配體苯乙基銨(PEA),并調整準2D鈣鈦礦結構,具有理想的n含量,在天藍中的EQE為1.5%。在本文的準備過程中,Jin等人報道了基于量子限制的溴化鈣鈦礦的高效藍光發光二極管(LED),通過使用苯基丁基溴化銨作為準2D相結合反溶劑薄膜沉積方法,獲得了高達9.5%的峰值EQE。這些策略仍然集中在二維鈣鈦礦結構中陽離子的改性上。
 
為了獲得高效的藍色鈣鈦礦器件,以具有高效綠色發射的準二維鈣鈦礦PEA2(CsPbBr3)n-1PbBr4作為改性的初始組分。準2維PEA2(CsPbBr3)2PbBr4的發射波長為508nm,如圖1a所示。選擇三維鈣鈦礦型CsPbBr3作為發射的主核,引入過量CsBr(CsBr:PbBr2=2:1,摩爾比)鈍化非輻射缺陷復合。長烷基鏈苯乙基溴化銨(PEABr)通常被引入鈣鈦礦中,以在取代外層a位原子時形成2D相,從而限制電荷并增強發射。(文:愛新覺羅星)
 
中科院半導體所 2
圖1不同EABr鈣鈦礦薄膜的特性。
 
中科院半導體所 3
圖2 鈣鈦礦薄膜的晶體結構。
 
中科院半導體所 4
圖3不同鈣鈦礦的晶體結構和電子結構。
 
中科院半導體所 5
圖4不同EABr比率的鈣鈦礦器件的性能。
 
 
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