據(jù)悉，在本世紀(jì)初，南卡羅來納大學(xué)的研究院隊就開始研發(fā)小型UV LED互聯(lián)陣列。第一代UV LED像素直徑為25微米，組成了10×10的陣列，提升了光輸出功率，具有超高可靠性，并減少了電流擁擠，主要對標(biāo)串聯(lián)電阻和輔助電流擴(kuò)展。

 

最近，該團(tuán)隊針對深紫外光源再次對這個結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究，主要聚焦熱阻抗以及像素尺寸對發(fā)射功率的影響。

 

據(jù)團(tuán)隊的發(fā)言人Richard Floyd透露，將深紫外LED的尺寸縮小到20微米以內(nèi)不會增加大部分生產(chǎn)步驟的難度，也不需要專門的設(shè)備來完成。例如，研究團(tuán)隊在所有的光刻步驟中采用了標(biāo)準(zhǔn)的光阻劑光罩（Photoresist Masking）和Karl Suss MJB-3掩模對準(zhǔn)器（Mask Aligner）。

 

不過，為了保證整個晶圓的均勻性，研究團(tuán)隊優(yōu)化了20微米以下光刻曝光和顯影時間，同時優(yōu)化了p極歐姆接觸退火條件。

 

研究團(tuán)隊將直徑為90微米的單像素LED參照物與三個不同的陣列結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比，分別是：36個直徑為15微米的像素陣列、81個直徑為10微米的像素陣列、324個直徑為5微米的像素陣列，間隙均為5微米。
 

左：5微米互聯(lián)像素陣列（像素間的間隙為5微米）    右：直流電流為60mA時的相同陣列（圖片來源：南卡羅來納大學(xué)）

 

通過晶圓上測量法（采用500ns脈沖和0.05%的占空比以最大程度降低器件的熱量）發(fā)現(xiàn)，帶有鋁散熱片的單個5微米（直徑）像素，當(dāng)驅(qū)動電流為10.2kA·cm-2時，峰值亮度可達(dá)到291W·cm-2，是上述提及LED參照物亮度的30倍。

 

三個不同陣列的研究結(jié)果顯示，得益于消除熱下垂的優(yōu)越排熱技術(shù)，降低像素尺寸可提升性能。相比單芯片參照物，324個直徑為5微米的像素陣列在連續(xù)波模式下，輸出功率提升了5倍以上，而在脈沖模式下，輸出功率可提升15倍以上。

 

通過本次研究，研究團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)，該互聯(lián)微像素陣列的外量子效率不會隨著像素尺寸縮小而降低，因此，研究者們有信心在不影響器件性能的條件下，開發(fā)出更小尺寸的深紫外LED。

 

但需要注意的是，研究結(jié)果也表明了，隨著器件尺寸進(jìn)一步縮小，熱阻抗會微幅降低，不過也僅有這個指標(biāo)會受到影響。

 

目前，南卡羅來納大學(xué)研究團(tuán)隊正在研究增強光提取效率的工藝技術(shù)，期望能夠利用獨立電子來控制這些像素。

 

據(jù)悉，本次的研究突破有助于推動UVC LED在要求高劑量深紫外照射的應(yīng)用中更好地與汞燈競爭。畢竟，在口罩消毒等部分應(yīng)用場所，汞燈的毒性引發(fā)不少擔(dān)憂。可見，UV-C LED替代汞燈的進(jìn)程將進(jìn)一步加快。