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福建物構(gòu)所高效紫外發(fā)光全無(wú)機(jī)鈣鈦礦納米晶研究取得進(jìn)展

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-03-17 來(lái)源:福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所瀏覽次數(shù):269
 全無(wú)機(jī)鉛鹵鈣鈦礦納米晶由于其具有熒光量子產(chǎn)率高、合成工藝簡(jiǎn)單、吸收截面大和發(fā)射譜帶窄等優(yōu)異性能,在光伏和光電等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。經(jīng)過(guò)學(xué)界的努力,全無(wú)機(jī)鉛鹵鈣鈦礦納米晶的發(fā)光調(diào)控已被廣泛報(bào)道,在材料合成、發(fā)光機(jī)理和應(yīng)用等方面取得了重要進(jìn)展。目前,這類材料的研究主要局限在可見(jiàn)光區(qū),而具有紫外發(fā)光的全無(wú)機(jī)鉛鹵鈣鈦礦納米晶仍未見(jiàn)報(bào)道。
 
中國(guó)科學(xué)院功能納米結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與組裝/福建省納米材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員陳學(xué)元團(tuán)隊(duì)在中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)和科學(xué)技術(shù)部國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)專項(xiàng)等項(xiàng)目的支持下,近期提出了一個(gè)巧妙的策略,即通過(guò)分別調(diào)控CsPbCl3納米晶的能帶和表面結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)合成了高效紫外發(fā)光全無(wú)機(jī)鈣鈦礦納米晶(圖1)。
 
研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)Cd2+摻雜,在不改變CsPbCl3納米晶形貌和物相的基礎(chǔ)上,對(duì)材料的能帶進(jìn)行了調(diào)控,將CsPbCl3納米晶的帶隙從可見(jiàn)波段調(diào)控到紫外光區(qū)域,發(fā)射峰位于381 nm(圖2)。通過(guò)CdCl2的表面鈍化作用,可將CsPbCl3:Cd2+納米晶的熒光量子產(chǎn)率由0.9%提高至60.5%(圖3)。同時(shí),材料的光穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性也得到了明顯提升。進(jìn)一步地,研究團(tuán)隊(duì)與結(jié)構(gòu)化學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員鄧水全團(tuán)隊(duì)合作,基于飛秒瞬態(tài)吸收光譜分析和第一性原理計(jì)算,證實(shí)了顯著改善的發(fā)光性能主要得益于消除了引起無(wú)輻射弛豫的表面缺陷(如氯離子空位)。該研究為開(kāi)發(fā)全無(wú)機(jī)鉛鹵鈣鈦礦納米發(fā)光材料提供了新思路,有助于加快新型紫外光電器件的發(fā)展。
 
相關(guān)研究成果發(fā)表在《德國(guó)應(yīng)用化學(xué)》(Angew. Chem. Int. Ed.),并被選為熱點(diǎn)論文,中國(guó)科學(xué)院大學(xué)博士研究生張?jiān)茪J為論文第一作者,福建物構(gòu)所研究員涂大濤、鄧水全和陳學(xué)元為論文的通訊作者。
 
此前,陳學(xué)元團(tuán)隊(duì)在全無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的光學(xué)性能研究方面取得了一系列重要進(jìn)展。例如,首次制備出Mn2+摻雜Cs4PbCl6零維鈣鈦礦納米晶,并揭示Mn2+摻雜Cs4PbCl6零維鈣鈦礦納米晶中顯著不同于其在CsPbCl3三維鈣鈦礦量子點(diǎn)中的發(fā)光特點(diǎn)和激發(fā)態(tài)動(dòng)力學(xué)(Adv. Sci.);提出一種基于稀土納米晶的輻射能量傳遞上轉(zhuǎn)換敏化新機(jī)制,首次實(shí)現(xiàn)CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)在低功率半導(dǎo)體激光器激發(fā)下的全光譜高效上轉(zhuǎn)換發(fā)光和超長(zhǎng)激子熒光壽命調(diào)控(Nat. Commun.);建立一種基于CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)的余輝光轉(zhuǎn)換新策略,實(shí)現(xiàn)窄帶、寬色域(>130% NTSC)的全光譜高效長(zhǎng)余輝發(fā)光調(diào)控(Angew. Chem. Int. Ed.)。
福建物構(gòu)所1
圖1.基于能帶和表面結(jié)構(gòu)調(diào)控實(shí)現(xiàn)CsPbCl3納米晶高效紫外發(fā)光示意圖
福建物構(gòu)所2
圖2.(a)CsPbCl3納米晶和(b-e)不同Cd2+濃度摻雜CsPbCl3納米晶的明場(chǎng)透射電鏡照片。CsPbCl3納米晶以及不同Cd2+濃度摻雜CsPbCl3納米晶的(f)X射線衍射譜,(g)吸收光譜,(h)發(fā)射光譜,和(i)熒光衰減曲線
福建物構(gòu)所3
圖3.不同CdCl2濃度處理CsPbCl3:Cd2+納米晶的(a)發(fā)射光譜和(b)熒光量子產(chǎn)率。(c)330-nm 氙燈激發(fā)下,基于CdCl2表面鈍化前后CsPbCl3:Cd2+納米晶的熒光量子產(chǎn)率隨時(shí)間變化曲線。(d)85°C加熱下,基于CdCl2表面鈍化前后CsPbCl3:Cd2+納米晶的紫外發(fā)光強(qiáng)度隨時(shí)間變化曲線
 
 
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