3月11日上午,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)在官網(wǎng)發(fā)布消息稱(chēng),中美半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)宣布成立“中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)和貿(mào)易限制工作組”(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“工作組”)。
需要提及的是,根據(jù)披露,雙方協(xié)會(huì)將各自委派10家半導(dǎo)體會(huì)員公司參加工作組,各自分享相關(guān)信息并進(jìn)行對(duì)話(huà)。
具體看規(guī)劃綱要草案在集成電路“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”內(nèi)容,包括了集成電路設(shè)計(jì)工具(EDA)、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā),集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破,先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí),碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。
兩國(guó)協(xié)會(huì)希望通過(guò)工作組加強(qiáng)溝通交流,促進(jìn)更深層次的相互理解和信任。工作組計(jì)劃每年兩次會(huì)議,分享兩國(guó)在技術(shù)和貿(mào)易限制政策方面的最新進(jìn)展。根據(jù)雙方共同關(guān)注的領(lǐng)域,工作組將探討出相應(yīng)的對(duì)策建議,并確定需要進(jìn)一步研究的內(nèi)容。
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需要提及的是,根據(jù)披露,雙方協(xié)會(huì)將各自委派10家半導(dǎo)體會(huì)員公司參加工作組,各自分享相關(guān)信息并進(jìn)行對(duì)話(huà)。
消息一出,下午一開(kāi)盤(pán),A股半導(dǎo)體板塊即應(yīng)聲大漲,臺(tái)基股份、富滿(mǎn)電子、捷捷微電、士蘭微、華潤(rùn)微、中微公司、中芯國(guó)際、滬硅產(chǎn)業(yè)等個(gè)股收盤(pán)漲幅均超過(guò)5%。
對(duì)此,上證報(bào)采訪(fǎng)多位業(yè)內(nèi)資深人士獲悉,現(xiàn)在或許還沒(méi)有確定的名單,但推測(cè)名單應(yīng)該會(huì)包含半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈(包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備、材料)上具有代表性的頭部企業(yè)。
工作組機(jī)制對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟有怎樣的影響?
對(duì)此,有業(yè)內(nèi)人士在接受記者采訪(fǎng)時(shí)表示,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)全球性的產(chǎn)業(yè),上述民間溝通機(jī)制的建立有助于中美雙方在產(chǎn)業(yè)層面的合作,有望在一定程度上推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體成熟制程的擴(kuò)產(chǎn)能。
比如,晶圓廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)能就必須采購(gòu)國(guó)外的光刻機(jī)等核心設(shè)備。一個(gè)典型的案例是,中芯國(guó)際近期發(fā)布采購(gòu)訂單,公司與阿斯麥(ASML)的12億美元的采購(gòu)協(xié)議延長(zhǎng)一年至2021年12月31日。
那么,在工作小組成立后,中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的推進(jìn)腳步會(huì)不會(huì)放緩?答案已經(jīng)寫(xiě)進(jìn)了“十四五”規(guī)劃綱要草案。
“十四五”規(guī)劃綱要草案提出,在加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)方面,要瞄準(zhǔn)集成電路等前沿領(lǐng)域,實(shí)施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國(guó)家重大科技項(xiàng)目。從國(guó)家急迫需要和長(zhǎng)遠(yuǎn)需求出發(fā),集中優(yōu)勢(shì)資源攻關(guān)關(guān)鍵元器件零部件和基礎(chǔ)材料等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)。
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具體看規(guī)劃綱要草案在集成電路“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”內(nèi)容,包括了集成電路設(shè)計(jì)工具(EDA)、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā),集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破,先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí),碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。
規(guī)劃綱要草案還提出,要加快茂金屬聚乙烯等高性能樹(shù)脂和集成電路用光刻膠等電子高純材料關(guān)鍵技術(shù)突破。