近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由北京康美特科技股份有限公司，有研稀土新材料股份有限公司，寧波升譜光電股份有限公司，廣東晶科電子股份有限公司共同協(xié)辦的“半導體照明芯片、封裝及模組技術”分會上，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所吳林楓分享了基于自隔離鍵合技術的大功率倒裝芯片單片集成發(fā)光二極管的研究成果。LED發(fā)展呈現(xiàn)出增加發(fā)光面積、更高的驅動電流和更高的功率、更高的光輸出功率的趨勢。大功率倒裝芯片整體集成LED，需要更高的驅動電流和更高的功率等，也面臨著散熱與電絕緣沖突。鍵合要求高的對準精度等挑戰(zhàn)。
結合具體的數(shù)據(jù)，研究提出了一種新穎的倒裝式led封裝方法，稱之為自對準隔離“技術”，該技術可以提高器件的散熱能力，保證芯片的導電性，有效地優(yōu)化封裝的對準精度。
報告指出，當大功率倒裝芯片MI-LED的輸入功率為19.87W時，最高溫度為45.6℃，最低溫度為39.7℃，最大溫差為5.9℃，說明自隔離粘接技術能夠解決散熱與隔熱之間的矛盾。今后研究將對器件進行優(yōu)化和封裝，然后對器件的光學特性進行分析。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
