期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司協辦的“襯底、外延及生長裝備”分會上，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司研發中心主任、山東大學副教授彭燕帶來了“SiC單晶材料及產業化進展”的主題報告。

 

一代材料決定一代器件，碳化硅材料具有禁帶寬度越大，其熱學本征激發需要溫度越高，無需額外散熱裝置，減小整機體積等特質。

報告顯示，電力電子SiC器件涉及高功率、高壓領域，如新能源汽車、高鐵運輸、智能電網的逆變器等器件。技術發展&需求增加，yole報告指出SiC功率半導體市場規模的年均復合增速預計將達到38%。襯底材料涉及SiC substrate +epitaxy GaN 高能效LED；GaN高頻大功率微波器件，應用雷達、武器和通信系統等方面。

碳化硅材料面臨的挑戰，主要來自成本與質量。其中，成本涉及150毫米和更大直徑的碳化硅晶片以及成熟的技術，商用、高可靠性的產品。質量方面涉及低位錯密度、低應力、P型襯底、生長和加工新技術等。

彭燕，凝聚態物理博士，山東大學副教授/博士研究生導師，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司研發中心主任。2011年6月畢業于山東大學，同年加入晶體材料國家重點實驗室工作。2017-2018年在美國田納西大學做訪問學者。主要從事寬禁帶半導體材料研究工作，重點研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應用研究，先后主持、參與國家基礎研究計劃、973、核高基及自然科學基金項目等10余項，發表SCI論文40余篇，申請/授權專利近30項。
 

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）